半导体器件及其制造方法和有源矩阵显示器技术

一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以ＴＥＯＳ作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或烃基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。另一种方法包括将氮离子注入氧化硅薄膜中然后用红外光使薄膜退火，从而获得作为栅绝缘膜的氮氧化硅膜，此膜结构致密、介电常数高和耐压得到改善。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及采用绝缘膜的半导体器件及其制造方法，该器件被称为薄膜晶体管(以下称为“TFT”)。本专利技术还涉及在700℃或更低温度下在绝缘衬底上高产率地制造高性能的可靠的绝缘栅半导体器件的方法，以及通过组装多个这样的半导体器件制造集成电路(IC)的方法。该器件可用作液晶显示器等的有源矩阵、图象传感器等的驱动电路、SOI(绝缘体上的硅)电路的TFT、以及诸如微处理器、微控制器、微型计算机和半导体存储器之类的常规半导体IC的TFT。通常，液晶显示器件和图象传感器件是作为采用集成于玻璃衬底上的TFT的器件而被公知的。一般，采用薄膜晶体管的绝缘栅型场效应半导体器件用于上述常规器件上，并且还习惯于用氧化硅薄膜作为那些TFT的栅极绝缘膜。然而，采用氧化硅薄膜作为栅极绝缘膜的TFT会产生一些问题，例如，由栅极绝缘膜中的针孔引起的漏电流，增大薄膜厚度(栅极绝缘膜的电容取决于薄膜厚度和介电常数)的局限性，由于致密度不足(即，薄膜太松软)导致作为绝缘膜所需的各种特性不稳定，以及诸如混入栅极绝缘膜中的钠离子之类的固定电荷带来的问题。近来，人们对于在绝缘衬底上制成绝缘栅型半导体器件(MOSFET)的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在衬底上形成一半导体膜；形成电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括：由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，并且所述像素电极与所述第一层接触。

【技术特征摘要】
JP 1992-8-27 252296/92;JP 1993-6-24 177410/93;JP 11.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一半导体膜；形成电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，并且所述像素电极与所述第一层接触。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。3.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一沟道区；形成与所述沟道区接触的一源区和漏区；形成电连接于所述源区和所述漏区之一的一布线；并且形成电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层与所述源区和所述漏区之一接触，并且其中，所述像素电极与所述第一层接触。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。5.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一半导体膜；形成电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第二层的厚度大过所述第一层的厚度，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，并且所述像素电极与所述第一层接触。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。7.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一半导体膜；形成电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层的厚度是由20nm到200nm，而所述第二层的厚度是由100nm到2000nm，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，并且其中，所述像素电极与所述第一层接触。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。9.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一半导体膜；在所述半导体膜上形成一平整膜；形成在所述平整膜上并经所述平整膜的一接触孔电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成在所述平整膜上并电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，并且所述像素电极与所述第一层接触。10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的平整膜包括一种有机树脂。12.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一沟道区；形成与所述沟道区接触的一源区和漏区；在所述沟道区、所述源区和所述漏区之上形成一平整膜；形成在所述平整膜上并经所述平整膜的一接触孔电连接于所述源区和所述漏区之一的一布线；并且形成在所述平整膜上并电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层与所述源区和所述漏区之一接触，并且其中，所述像素电极与所述第一层接触。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述的平整膜包括一种有机树脂。15.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一半导体膜；在所述半导体膜上形成一平整膜；形成在所述平整膜上并经所述平整膜的一接触孔电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成在所述平整膜上并电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第二层的厚度大过所述第一层的厚度，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，其中，所述像素电极与所述第一层接触。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的平整膜包括一种有机树脂。18.一种制造半导体器件的方法，包括步骤在衬底上形成一半导体膜；在所述半导体膜上形成一平整膜；形成在所述平整膜上并经所述平整膜的一接触孔电连接于所述半导体膜的一布线；并且形成在所述平整膜上并电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层和所述第二层靠溅射连续地予以形成，其中，所述第一层的厚度是由20nm到200nm，而所述第二层的厚度是由100nm到2000nm，其中，所述第一层与所述半导体膜接触，并且其中，所述像素电极与所述第一层接触。19.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述的像素电极包括氧化铟锡。20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述的平整膜包括一种有机树脂。21.一种半导体器件，包括形成在衬底上的一半导体膜；靠近所述半导体膜而形成的一栅电极，在所述半导体膜和所述栅电极之间插入一栅绝缘膜；电连接于所述半导体膜的一布线；以及电连接于所述布线的一像素电极，其中，所述的布线在其上包括由铬组成的第一层，以及由铝组成的第二层，其中，所述第一层与所述半导体膜接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，张宏勇，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]