半导体芯片封装结构及工序制造技术

一种半导体芯片封装结构及工序，能够以成批的方式在同一片载具上制作出多个高密度及小尺寸的半导体芯片封装件。该半导体芯片封装结构及工序的特点是在芯片上形成绝缘隔绝层，再利用重布线路技术在该绝缘隔绝层上形成焊点数组，并将这些重布线路电性连接至芯片上的焊垫。可使重布后的焊点数组被安置在超出芯片的表面范围之外的区域，而不是像现有技术那样，焊点数组仅局限在芯片电路面上，因此能应用在新一代微型化（如小于９０纳米）芯片的封装结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种半导体芯片封装技术，特别是关于一种半导体芯片封装结构及工序，它能够以成批的方式在同一片载具上制作出多个高密度及小尺寸的半导体芯片封装件。
技术介绍
芯片尺寸级封装技术(Chip Scale Package，CSP)作为一种先进的封装技术，可将封装件的尺寸制作成略大于所封装芯片的尺寸，因此可使封装件达到最小化的程度，符合轻薄短小的要求。晶圆级的CSP封装技术(Wafer Level CSP)则是一种更为先进的封装技术，可将每一片晶圆切割出的所有芯片，以成批的方式进行芯片尺寸级的封装工序，一次可完成多个封装件。晶圆级的CSP封装技术的相关专利包括有美国专利第5,886,409号＂ELECTRODE STRUCTURE OF WIRING SUBSTRATE OFSEMICONDUCTOR DEVICE HAVING EXPANDED PITCH＂；美国专利第5,892,179号＂SOLDER BUMPS AND STRUCTURES FORINTEGRATED REDISTRIBUTION ROUTING CONDUCTORS＂；美国专利第6,103,552号＂W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片封装工序，其特征在于，该半导体芯片封装工序包括下列步骤：　　　　（１）预制一载具，其具有正面和背面；　　　　（２）进行置晶程序，在该载具正面上至少安置一个半导体芯片，该芯片具有作用表面及相对的非作用表面，且该作用表面上形成有多条焊垫；　　　　（３）进行绝缘隔绝层工序，在该芯片及载具上形成绝缘隔绝层，该绝缘隔绝层上形成有多条开口，使芯片上各焊垫外露出该绝缘隔绝层；　　　　（４）进行重新布线工序，在该绝缘隔绝层上形成多条重布线路，其中，各条重布线路是电性连接到该芯片上对应的焊垫，并在线路端形成焊接点；　　　　（５）进行绝缘保护层工序，形成覆盖各条重布线路的绝缘保护层，并曝露出各条重布...

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片封装工序，其特征在于，该半导体芯片封装工序包括下列步骤(1)预制一载具，其具有正面和背面；(2)进行置晶程序，在该载具正面上至少安置一个半导体芯片，该芯片具有作用表面及相对的非作用表面，且该作用表面上形成有多条焊垫；(3)进行绝缘隔绝层工序，在该芯片及载具上形成绝缘隔绝层，该绝缘隔绝层上形成有多条开口，使芯片上各焊垫外露出该绝缘隔绝层；(4)进行重新布线工序，在该绝缘隔绝层上形成多条重布线路，其中，各条重布线路是电性连接到该芯片上对应的焊垫，并在线路端形成焊接点；(5)进行绝缘保护层工序，形成覆盖各条重布线路的绝缘保护层，并曝露出各条重布线路的焊接点；(6)进行植球程序，在各外露的重布线路焊接点上分别植设焊球从而形成球栅阵列；以及(7)进行切单工序，切割该载具，形成多个半导体封装件。2.如权利要求1所述的半导体芯片封装工序，其特征在于，步骤(1)所述的载具是BT基板。3.如权利要求1所述的半导体芯片封装工序，其特征在于，步骤(3)所述的绝缘隔绝层工序是采用旋转涂布技术，将绝缘材料涂布在该载具的正面上，形成该绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：普翰屏，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]