半导体芯片封装结构及其制造方法技术

一种半导体芯片封装结构及其制造方法，是在基板上粘接芯片，并在该基板及芯片上布覆绝缘层，使基板焊线垫及芯片电性接点均外露出该绝缘层；之后在该绝缘层表面包括有该焊线垫及电性接点等外露部敷设金属层，经过图案化形成多条电性连接芯片电性接点与基板焊线垫的导电线路，取代传统的焊线技术，避免封装工序中发生导线倾倒或短路等问题；同时，运用线路布设技术的电性连接芯片及基板也能克服芯片尺寸及焊垫间距缩小造成的焊线限制，能符合新一代（如９０纳米以下）芯片的封装要求。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种，特别是关于一种配合新一代芯片焊接间距缩小化的趋势，以成批方式(BatchType)在同一片载具上制作出多个高密度封装件的。
技术介绍
球栅阵列式(Ball Grid Array，BGA)半导体封装工序是一种较先进的半导体封装技术，其特点是在基板上粘接半导体芯片并施以焊线，使连接芯片与基板之间的导线形成电性连接关系。随着芯片集成化(Integration)程度的提高，导线布设数量激增，因此在有限的芯片面积下，只有缩减导线与导线之间的间隔距离(Pitch)，才可能容纳、布设更多的导线；但是，缩小导线间距将使导线与导线之间靠得更近，在随后的模压工序中，常会因焊线偏移(Wire Sweeping)而导致短路(Short)，影响到制成品的品质。为改善高密度半导体芯片导线数量增加所造成的焊线间距变小的困扰，如图1所示，美国专利第5,581,122号提出了一种在芯片11外围与提供导线110焊接的焊线垫102(Fingers)之间基板10表面上，增设接地环17(Ground Ring)以及电源环18(Power Ring)的半导体封装件，此封装结构在芯片11周围增设接地环1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构的制造方法包括下列步骤：　　　　制备基板，该基板具有正面及背面，在该基板正面上预先定义出芯片接置区，并在该芯片接置区外的基板正面上形成多条焊线垫；　　　　在该芯片接置区上粘接至少一个芯片，该芯片具有电路面及非电路面，在该芯片的电路面上形成多个电性接点，且每一个电性接点各对应一个焊线垫；　　　　布覆绝缘层至基板，以覆盖该芯片电路面及基板正面，并外露出各电性接点及各焊线垫；　　　　在该绝缘层上形成金属层，用以覆盖并且连接该电性接点及焊线垫；　　　　图案化该金属层，形成多条导电线路，使该导电线路的一端连接该电性接点，另一端连接该电性接点所...

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构的制造方法，其特征在于，该半导体芯片封装结构的制造方法包括下列步骤制备基板，该基板具有正面及背面，在该基板正面上预先定义出芯片接置区，并在该芯片接置区外的基板正面上形成多条焊线垫；在该芯片接置区上粘接至少一个芯片，该芯片具有电路面及非电路面，在该芯片的电路面上形成多个电性接点，且每一个电性接点各对应一个焊线垫；布覆绝缘层至基板，以覆盖该芯片电路面及基板正面，并外露出各电性接点及各焊线垫；在该绝缘层上形成金属层，用以覆盖并且连接该电性接点及焊线垫；图案化该金属层，形成多条导电线路，使该导电线路的一端连接该电性接点，另一端连接该电性接点所对应的焊线垫；形成绝缘层，用以覆盖该电性接点、导电线路及焊线垫；以及植设多个焊球至该基板的背面，供该芯片与外界装置电性连接。2.如权利要求1所述的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该金属层包括薄层金属层及电路形成层。3.如权利要求2所述的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该薄层金属层是以溅镀的方式形成在该绝缘层上。4.如权利要求2所述的半导体芯片封装结构的制造方法，其特征在于，该薄层金属层是以无电镀镀膜的方式形成在该绝缘层上。5.一种半导体芯片封装结构，其特征在于，该半导体芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：普翰屏，黄建屏，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]