双极型集成电路设计中的版图和电路图提取方法技术

本发明专利技术涉及一种双极型集成电路设计中版图／电路提取方法。由于双极型集成电路工艺制造上的复杂性和元件品种的多样性，导致双极型集成电路版图／电路提取工作技术上的特殊困难，而该项提取工作尤为对集成电路设计正确性进行验证的关键所在。本发明专利技术首先提出了双极型集成电路版图关系图和元件关系图，并建立了两者之间的映射关系和方法。以该关系和方法为基础，提出了双极型集成电路元件识别表。发明专利技术还提出了在元件识别表基础上确立了双极型集成电路版图／电路提取的步骤，并把这些步骤纳入计算机程序，形成了电路识别与提取的框图。本发明专利技术具有通用性，应用范围涵盖了所有的双极型集成电路和ＭＯＳ集成电路；并具有周密性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计技术的领域，尤其是指。(2)
技术介绍
集成电路的发展已进入超大规模及超深亚微米阶段，由于其集成度的急剧提高，造成了设计上的一系列困难，这些困难相当一部份来自EDA工具的不完善性和不完整性。有鉴于此，设计过程中的验证、识别和校核等步骤，已经成为保证设计成功的不可缺少的条件。一个完整的集成电路CAD系统必须包括一个功能齐全的验证、识别和校核系统，以确保在制版和流片以前获得电性能正确的版图数据。按照目前集成电路工业界的共识，验证、识别和校核系统应当包括设计规则检查，电路级验证和逻辑级验证等部分。其中电路级验证应当由电路提取、电网络一致性比较(验证)和电路模拟三部分组成。所谓电路提取，即从集成电路版图信息提取电路原理图，是根据版图结构进行图形运算，得到电路的元件信息和拓扑结构的过程；所谓电网络一致性比较(验证)，是根据电路提取的结果和电路拓扑连接的信息，将被提取的电网络与原设计的电网络进行一致性比较的过程，这一过程的目的是用以校核和验证所设计电路的拓扑结构和元件值是否与原设计电路保持一致；所谓电路模拟则是根据电路提取的信息，对电路作多种电性能的分析，以校核所设计本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极型集成电路设计中的版图／电路提取方法，其特征包括：步骤１：版图数据输入，从外界获得双极型集成电路的版图数据信息；步骤２：数据预处理，对输入的数据和图形进行排序和区间划分等预处理，为下一步的图形和数据检索创造必要和充分 条件；步骤３：图形运算，对版图的掩膜图形信息进行拓扑运算；步骤４：从版图关系图至元件关系图的识别，按照双极型集成电路的版图关系图与元件关系图的元件识别表的要点自动运作，所述的双极型集成电路的版图关系图与元件关系图的元件识别表 是指：（１）一个版图子块有：ｅ极包含于ｂ极，ｂ极包含于ｃ极；ｅ极的引线孔ｈ的有向线段指向...

【技术特征摘要】
1.一种双极型集成电路设计中的版图/电路提取方法，其特征包括步骤1版图数据输入，从外界获得双极型集成电路的版图数据信息；步骤2数据预处理，对输入的数据和图形进行排序和区间划分等预处理，为下一步的图形和数据检索创造必要和充分条件；步骤3图形运算，对版图的掩膜图形信息进行拓扑运算；步骤4从版图关系图至元件关系图的识别，按照双极型集成电路的版图关系图与元件关系图的元件识别表的要点自动运作，所述的双极型集成电路的版图关系图与元件关系图的元件识别表是指(1)一个版图子块有e极包含于b极，b极包含于c极；e极的引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；b极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；c极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述了一个NPN三极管；(2)一个版图子块有e极包含于c极，c极包含于b极；e极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；b极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；c极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个横向PNP三极管；(3)一个版图子块有b极包含于e极，c极在拓扑上与e极无关；e极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+区的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；b极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；c极引线孔h与e极无关，则以上元件关系图描述一个纵向PNP三极管；(4)一个版图子块有p极引线孔h的有向线段指向P+基区，同时有另一N+发射区的有向线段指向该P+基区，而该P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个发射极开路二极管；(5)一个版图子块有p极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；同时有另一N+发射区的有向线段指向I隔离区，则以上元件关系图描述一个集电极开路二极管；(6)一个版图子块有p极引线孔h的有向线段指向I隔离区，p极引线孔h的另一有向线段指向AL金属连线；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；无极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；AL金属连线与P+基区和N+发射区相交；同时无极引线孔h的另一有向线段指向AL金属连线，则以上元件关系图描述一个B-C短接的二极管；(7)一个版图子块有p极引线孔h的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；n极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向I隔离区；无极引线孔h的有向线段指向N+发射区，N+发射区的有向线段指向P+基区，P+基区的有向线段指向I隔离区；同时，p极引线孔h的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林争辉，林涛，荣荧，范宏春，
申请(专利权)人：上海芯华微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]