一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法技术

一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法，其特征在于：是用人工活性膜作为模板一步制得，具体步骤如下：第一步是将表面平整光滑的玻璃片浸没于市售的胶棉液中，重复提拉两次，自然干燥，剥离，得厚薄均匀，且厚度控制在０．１ｍｍ～０．５ｍｍ、尺寸和形状符合设计要求的人工活性膜；第二步是取浓度为０．０５～０．２０ｍｏｌ／Ｌ，离子摩尔数之比与产物化学式相对应的提供金属离子的化合物溶液和提供硫离子的化合物溶液，分置于人工活性膜的两侧，在室温和搅拌条件下反应２４～４８ｈ；第三步是将反应后的溶液离心分离，弃去澄清液，留下的产物依次用化学纯丙酮、去离子水洗涤；取下人工活性膜，用去离子水冲洗下附着的产物，也依次用丙酮、去离子水洗涤，最后将得到的所有产物合并，自然干燥即成功制备出平均粒径（或直径）为２０～２００ｎｍ、近球形（或棒状）的光、电性能优越的金属硫化物半导体纳米晶。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金属硫化物半导体纳米晶的制备技术。属于用模板制取金属硫化物半导体纳米晶的方法。
技术介绍
金属硫化物半导体纳米晶是一种具有半导体特性的以纳米(10亿分之1米)尺度结构体系的半导体硫化物(准)纳米微粒、(准)纳米棒。这种半导体硫化物纳米材料具有量子尺寸效应和表面效应等，具有优异的光、电、磁、催化等方面性能，在电子、生物、涂料、制药等行业具有广阔的应用前景。因此，规模生产金属硫化物半导体纳米晶对上述行业的发展具有重要意义。目前，在金属硫化物半导体纳米晶的众多制备方法中，超声合成法、水热-溶剂热合成法占有较重要的地位。超声合成法需要超声装置。而水热-溶剂热合成法由于能从微观上稳定微粒并控制粒子尺寸而显示出其独特的魅力。但是，水热-溶剂热合成法必须在密闭的高压容器中，高温控制下才能获得。近年来，纳米材料的模板合成法以其对产物较好的控制作用及制备工艺简单等特点，被广泛用于纳米材料的制备。但是，到目前为止，尚未见有利用人工活性膜作为模板制备金属硫化物半导体纳米材料的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是公开一种全新的利用人工活性膜作为模板制备金属硫化物半导体纳米晶的工艺。为了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属硫化物半导体纳米晶的制备方法，其特征在于是用人工活性膜作为模板一步制得，具体步骤如下第一步是将表面平整光滑的玻璃片浸没于市售的胶棉液中，重复提拉两次，自然干燥，剥离，得厚薄均匀，且厚度控制在0.1mm～0.5mm、尺寸和形状符合设计要求的人工活性膜；第二步是取浓度为0.05～0.20mol/L，离子摩尔数之比与产物化学式相对应的提供金属离子的化合物溶液和提供硫离子的化合物溶液，分置于人工活性膜的两侧，在室温和搅拌条件下反应24～48h；第三步是将反应后的溶液离心分离，弃去澄清液，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴庆生，刘金库，丁亚平，
申请(专利权)人：同济大学，
类型：发明
国别省市：