氮化物半导体元件制造技术

一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第１电极及连接在其上面的、由不同于第１电极的形状构成的第２电极，其特征在于：第１电极和上述第２电极具有由形成第１电极表面的第１电极的上层和沉积在热处理后的第１电极上的第２电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在采用氮化物半导体的半导体层上设计微小面积(宽度)的电极的半导体元件，具体涉及大电流驱动元件(激光二极管、大功率LED、FET等电子元件、高频元件)。作为半导体元件的具体组成，有含GaN、AlN或InN，或它们的混晶AlGaN系、InGaN系、AlInGaN系的III-V族氮化物半导体。
技术介绍
氮化物半导体元件发射从波长比较短的紫外线区到包含红色的可见光区的宽波长区的波长的光线，其广泛用作构成半导体激光二极管(LD)或发光二极管(LED)等。近年来，随着小型化、长寿命化、高可靠性且高输出化的进展，主要用于个人计算机、DVD等电子装置、医疗设备、加工设备或光纤通信的光源等。这样的氮化物半导体元件，主要由在蓝宝石基板上依次叠层缓冲层、n型接触层、裂纹防止层、n型包覆层、n型光波导层、活性层、p型电子封闭层、p型光波导层、p型包覆层、p型接触层等叠层结构体构成。在LED中，可以省略光波导层等。并且，在这样的叠层结构体上设置n和p电极，活性层通过所述电极通电以发射光线。设在上述的氮化物半导体元件上的电极，在电极和各个半导体层之间建立欧姆接触的部分具有非常重要的作用，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第１电极及连接在其上面的、由不同于上述第１电极的形状构成的第２电极，其特征在于：上述第１电极和上述第２电极，具有由形成第１电极表面的第１电极的上层和沉积在热处理后的第１电极上的第２电 极的下层构成的接合层区；上述接合层区由铂族元素构成。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-19 2003-0410601.一种氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于上述第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于上述第1电极和上述第2电极，具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区；上述接合层区由铂族元素构成。2.一种氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于上述第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于上述第1电极和上述第2电极，具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区；上述第1电极的上层和上述第2电极的下层由同一种元素或同一材料构成。3.如权利要求1或2所述的氮化物半导体元件，其中，上述第1电极具有由热处理合金化材料构成的下层。4.如权利要求1至3中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，上述第1电极的上层，由以单一的铂族元素构成的铂族单一层，或铂族元素中的同族元素构成的合金化层构成。5.如权利要求1至4中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，上述第2电极的下层，由以单一的铂族元素构成的铂族单一层，或铂族元素的合金层构成。6.如权利要求1至5中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，上述第1电极的上层由Pt构成。7.如权利要求1至6中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，上述第2电极的下层由Pt构成。8.如权利要求1至7中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，设置上述第1电极的半导体层表面，具有电极形成区域和绝缘膜形成区域，上述第2电极从上述电极形成区域被覆到绝缘膜形成区域。9.如权利要求8所述的氮化物半导体元件，其中，上述绝缘膜形成区域是夹持带状的上述电极形成区域的多个区域，或被电极形成区域分离的多个区域。10.如权利要求1至9中任一项所述的氮化物半导体元件，其中，上述氮化物半导体元件，是具有由凸部构成的脊的激光器元件，上述第1电极连接形成在上述脊上面。11.如权利要求10所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本康宜，米田章法，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]