第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件制造技术

一种第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有ＩｎＧａＮ阱层和ＡｌＧａＮ势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的ＩｎＧａＮ层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的ＡｌＧａＮ层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种第III族氮化物化合物半导体发光器件。具体地，其涉及一种发射相对短波长的光的第III族氮化物化合物半导体发光器件。
技术介绍
第III族氮化物化合物半导体发光器件作为发射颜色范围在蓝色至绿色的光的发光二极管是已知的。第III族氮化物化合物半导体发光器件还用作发射比可见光波长短的光(近紫外线到紫外线的范围)的发光二极管。虽然迄今为止已知发射如此短波长光的第III族氮化物化合物半导体发光器件，但近来要求该发光器件具有较高的发光效率和输出。
技术实现思路
本专利技术者进行了深入的研究，以改善发射短波长光的第III族氮化物化合物半导体发光器件。结果获得了具有下述构造的发光器件。即，本专利技术提供了一种第III族氮化物化合物半导体发光器件，其包括含有量子势阱结构的多层，所述量子势阱结构包括InGaN阱层和AlGaN势垒层；和比InGaN阱层厚并位于所述多层下面的InGaN中间层。根据如上所述构成的第III族氮化物化合物半导体发光器件，可以以比常规发光器件高的输出发射短波长的光，例如波长为360-550nm的光。而且，使用含有包括InGaN阱层和AlGaN势垒层的量子势阱结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件，其包括：具有量子势阱结构的多层，所述量子势阱结构含有ＩｎＧａＮ阱层和ＡｌＧａＮ势垒层；和比所述ＩｎＧａＮ阱层厚并位于所述多层下面的ＩｎＧａＮ第一中间层。

【技术特征摘要】
JP 2001-4-25 128507/01;JP 2001-6-4 167589/011.一种第III族氮化物化合物半导体发光器件，其包括具有量子势阱结构的多层，所述量子势阱结构含有InGaN阱层和AlGaN势垒层；和比所述InGaN阱层厚并位于所述多层下面的InGaN第一中间层。2.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光器件，还包括在所述多层和所述InGaN第一中间层形成的、由GaN制得的第二中间层。3.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光器件，还包括在所述多层和所述InGaN第一中间层形成的、由AlGaN制得的第二中间层。4.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光器件，还包括在所述多层和所述InGaN第一中间层形成的、由GaN和AlGaN制得的第二中间层。5.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光器件，还包括通过相继层压下列各层得到的中间层所述InGaN第一中间层，GaN第二中间层和AlGaN第三中间层，并且该中间层形成于所述多层的下面。6.根据权利要求1的第III族氮化物化合物半导体发光器件，其中所述第一中间层基本上不含杂质。7.根据权利要求2的第III族氮化物化合物半导体发光器件，其中所述第一和第二中间层中的每一层都基本上不含杂质。8.根据权利要求3的第III族氮化物化合物半导体发光器件，其中所述第一和第二中...

【专利技术属性】
技术研发人员：浅见慎也，渡边大志，伊藤润，柴田直树，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]