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一种第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件包括多层，所述多层具有含有ＩｎＧａＮ阱层和ＡｌＧａＮ势垒层的量子势阱结构。控制作为阱层的ＩｎＧａＮ层的膜厚度、生长速率和生长温度，以及作为势垒层的ＡｌＧａＮ层的膜厚度至最佳化，由此改善发光器件的输出。...
该专利属于丰田合成株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田合成株式会社授权不得商用。

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