半导体装置、电子设备及它们的制造方法，以及电子仪器制造方法及图纸

可在抑制载体基板的挠曲的同时，实现不同种类芯片的３维安装结构。在通过ＡＣＦ接合双面安装半导体芯片２３ａ、２３ｂ的半导体组件ＰＫ１１上，层叠引线接合连接堆叠结构的半导体芯片３３ａ、３３ｂ的半导体组件ＰＫ１２。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置、电子设备、电子仪器、半导体装置的制造方法和电子设备的制造方法，尤其适用于半导体组件(封装)等的层叠结构。
技术介绍
在现有的半导体装置中，为了实现半导体芯片安装时的空间节省，例如有专利文献1中公开的那样经载体基板进行3维安装半导体芯片的方法。专利文献1特开平10-284683号公报但是，在经载体基板进行3维安装半导体芯片的方法中，由于载体基板表面的线性膨胀系数不同，所以载体基板的挠曲大。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种在抑制载体基板的挠曲的同时、可实现不同种类芯片的3维安装结构的半导体装置、电子设备、电子仪器、半导体装置的制造方法和电子设备的制造方法。为了解决上述问题，根据本专利技术之一形态的半导体装置，其特征在于，具备第1载体基板；面朝下安装在所述第1载体基板上的第1半导体芯片；面朝下安装在所述第1载体基板背面的第2半导体芯片；第2载体基板；装载在所述第2载体基板上的第3半导体芯片；和突出电极，以连接所述第2载体基板与所述第1载体基板，使所述第2载体基板保持在所述第1半导体芯片上。由此，可在第1载体基板的表里设置材料物性相等的半导体芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：第１载体基板；面朝下安装在所述第１载体基板上的第１半导体芯片；面朝下安装在所述第１载体基板背面的第２半导体芯片；第２载体基板；装载在所述第２载体基板上的第３半导体芯片 ；和突出电极，以连接所述第２载体基板与所述第１载体基板，使所述第２载体基板保持在所述第１半导体芯片上。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-18 2003-0742201.一种半导体装置，其特征在于，具备第1载体基板；面朝下安装在所述第1载体基板上的第1半导体芯片；面朝下安装在所述第1载体基板背面的第2半导体芯片；第2载体基板；装载在所述第2载体基板上的第3半导体芯片；和突出电极，以连接所述第2载体基板与所述第1载体基板，使所述第2载体基板保持在所述第1半导体芯片上。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，将所述第2载体基板固定在第1载体基板上，以跨在所述第1半导体芯片上。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，具备密封所述第3半导体芯片的密封件。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述密封件是模制树脂。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述密封件的侧壁与所述第2载体基板的侧壁位置一致。6.根据权利要求1～5中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片通过压接接合连接于所述第1载体基板上。7.根据权利要求1～6中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，包含所述第1载体基板的半导体装置与包含所述第2载体基板的半导体装置在相等温度下的弹性系数不同。8.根据权利要求1～7中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，装载所述第1半导体芯片和所述第2半导体芯片的第1载体基板是倒装片安装的球状栅格阵列，装载所述第3半导体芯片的第2载体基板是模制密封的球状栅格阵列或芯片尺寸组件。9.根据权利要求1～8中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，所述第3半导体芯片包含层叠多个芯片的结构。10.根据权利要求1～9中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，所述第3半导体芯片包含将多个芯片并列配置在第2载体基板上的结构。11.一种半导体装置，其特征在于，具备第1载体基板；面朝下安装在所述第1载体基板表面和背面至少其中的任一方面上的第1半导体芯片；第2载体基板；装载在所述第2载体基板上的第2半导体芯片；装载在所述第2载体基板背面的第3半导体芯片；和连接所述第2载体基板与所述第1载体基板的突出电极。12.一种半导体装置，其特征在于，具备载体基板；面朝下安装在所述载体基板上的第1半导体芯片；面朝下安装在所述第1载体...

【专利技术属性】
技术研发人员：青栁哲理，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]