半导体装置、电子设备、载体基板及它们的制法、电子仪器制造方法及图纸

即使在封装中产生翘曲的情况下，也能够使封装的高度差异降低。从载体基板１１的中央部向外周部缓慢变厚地设定设置在载体基板１１表面中的岸面（ｌａｎｄ）１３ａ～ｃ的厚度，同时，从载体基板３１、４１的中央部向外周部缓慢变厚地分别设定设置在载体基板３１、４１里面的各岸面３２ａ～３２ｃ、４２ａ～４２ｃ的厚度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置、电子设备、电子仪器、载体基板的制造方法、半导体装置的制造方法和电子设备的制造方法，尤其适用于半导体封装等的层叠结构。
技术介绍
在现有的半导体装置中，为了实现半导体芯片的3维安装，提出经焊锡球并层叠已安装半导体芯片的载体基板的方法。但是，若将半导体芯片安装在载体基板上，则由于半导体芯片与载体基板之间的线性膨胀系数等不同，所以在载体基板中产生翘曲，在封装高度中产生差异(不均)。因此，存在载体基板对焊剂熔融温度的翘曲余量少，必需严格管理焊剂熔融时的温度的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种即使在封装中产生翘曲的情况下，也能够使封装的高度差异降低的半导体装置、电子设备、电子仪器、载体基板的制造方法、半导体装置的制造方法和电子设备的制造方法。为了解决上述问题，根据本专利技术之一形态的半导体装置，其特征在于，具备形成厚度彼此不同的多个岸面的载体基板；和安装在所述载体基板上的半导体芯片。由此，能够由岸面的厚度来吸收载体基板的高度差异，即使在载体基板中产生翘曲的情况下，也能够实现半导体封装高度的均匀化。另外，根据本专利技术之一形态的半导体装置，其特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：形成厚度彼此不同的多个岸面的载体基板；和安装在所述载体基板上的半导体芯片。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-17 2003-0725631.一种半导体装置，其特征在于，具备形成厚度彼此不同的多个岸面的载体基板；和安装在所述载体基板上的半导体芯片。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述岸面的厚度从所述载体基板的中央部向外周部缓慢变化。3.一种半导体装置，其特征在于，具备形成厚度彼此不同的多个第1岸面的第1半导体封装；和形成分别相对配置在所述第1岸面上、厚度彼此不同的多个第2岸面的第2半导体封装。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，随着所述第1半导体封装与所述第2半导体封装间的间隙变宽，所述第1和第2岸面的厚度缓慢变大。5.根据权利要求1～4中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，还具备接合在所述岸面上的突出电极。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述突出电极的体积实质上相同。7.根据权利要求1～6中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，还具备分别形成于所述岸面上的绝缘膜；和形成于所述绝缘膜中、开口面积对应于所述岸面的厚度不同的开口部。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，随着所述岸面的厚度变厚，所述开口部的开口面积变小。9.根据权利要求3～7中的任意1项所述的半导体装置，其特征在于，所述第1半导体封装，具备形成所述第1岸面的第1载体基板和倒装片安装在所述第1载体基板上的第1半导体芯片；所述第2半导体封装，具备形成所述第2岸面的第2载体基板，装载在所述第2载体基板上的第2半导体芯片，接合第1岸面和所述第2岸面、使所述第2载体基板的端部保持在所述第1半导体芯片上的突出电极，和密封所述第2半导体芯片的密封件。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述第1半导体封装是将所述第1半导体芯片倒装片安装在所述第1载体基板上的球栅阵列，所述第2半导体封装是模制密封装载在所述第2载体基板上的第2半导体芯片的球栅阵列或芯片尺寸封装。11.一种电子设备，其特征在于，具备形成厚度彼此不同的多个第1岸面的第1载体基板；倒装片安装在所述第1载体基板上的第1电子部件；形成相对配置在所述第1岸面上、厚度彼此不同的多个第2岸面的第2载体基板；装载在所述第2载体基板上的第2电子部件；和密封所述第2电子部件的密封件。12.一种电子仪器，其特征在于，具备形成厚度彼此不同的多个第1...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽本俊宏，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]