【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光刻投射装置，包括用于提供辐射投射光束的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构，所述构图部件用于根据希望的图案对投射光束进行构图；用于保持基底的基底台；用于将带图案的光束投射到基底的靶部上的投射系统，以及气体冲洗系统。
技术介绍
为减小在光刻投射装置中成像的特征尺寸，希望减小照明辐射的波长。为了这个目的，建议使用小于200nm左右的波长，例如157nm或126nm。然而，这种波长会被一般大气中的空气强烈吸收，当光束穿过装置时将导致不能接受的强度损耗。密封整个装置和在真空中操作将会引入晶片和划线板交换的延迟，然而使用不吸收照明辐射波长的气体，例如超纯氮气(N2)，冲洗整个装置，将导致由于在未完全封闭的器件中的气体耗用造成的额外生产费用。EP1098226描述了这样一个系统，其中包括气源和真空泵的冲洗系统提供层流，并且其中该层流平行于掩模台上的例如薄板和掩模，或平行于末端的镜头和晶片台上的基底。在EP1098226中，一种“清洗罩”被安装在投射系统PL面对基底的面上，并围绕投射系统的末端元件，其在投射系统和基底之间形成间隙，并且该“清洗罩”的壁具有...
【技术保护点】
一种光刻投射装置，包括：用于提供辐射投射光束（ＰＢ）的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构（ＭＴ），所述构图部件（ＭＡ）用于根据希望的图案对投射光束（ＰＢ）进行构图；用于保持基底（Ｗ）的基底台（ＷＴ）；用于将 带图案的光束投射到基底（Ｗ）的靶部（Ｃ）上的投射系统（ＰＬ），和气体冲洗系统（２００），其特征在于：所述气体冲洗系统（２００）和所述基底（Ｗ）限定一个间隙，用于在所述气体冲洗系统（２００）与所述基底（Ｗ）之间的径向气 流（２０３）；所述气体冲洗系统（２００）还包...
【技术特征摘要】
EP 2003-2-12 03075416.21.一种光刻投射装置，包括用于提供辐射投射光束(PB)的辐射系统；用于支撑构图部件的支撑结构(MT)，所述构图部件(MA)用于根据希望的图案对投射光束(PB)进行构图；用于保持基底(W)的基底台(WT)；用于将带图案的光束投射到基底(W)的靶部(C)上的投射系统(PL)，和气体冲洗系统(200)，其特征在于所述气体冲洗系统(200)和所述基底(W)限定一个间隙，用于在所述气体冲洗系统(200)与所述基底(W)之间的径向气流(203)；所述气体冲洗系统(200)还包括用于产生所述径向气流的出口(202)，和所述气体冲洗系统(200)在使用时被设置得用于产生径向气流(203)，以使在所述间隙任意位置的所述径向气流(203)具有大于零且在间隙中方向向外的径向速度。2.根据权利要求1所述的装置，还包括出口(17)和入口(18)，其用于产生穿过至少部分在投射系统(PL)的末端镜头与基底(W)之间的投射光束的基本为层流的气流。3.根据权利要求1或2所述的装置，在投影光束一边的所述出口(202)与所述冲洗系统(200)的向外边之间定义一长度(201)，其平行于所述基底(W)和在所述气体冲洗系统(200)下面，其中所述长度(201)至少大约5mm。4.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述气体冲洗系统(200)还包括多个排气入口(19)，该排气入口(19)相对出口(202)、位于所述气体冲洗系统(200)外面，排气入口(19)用于排出径向气流(203)的部分气体。5.根据权利要求4所述的装置，在投影光束一边的所述出口(202)和所述冲洗系统(200)的入口(19)之间定义一长度(201)，其平行于所述基底(W)和在所述气体冲洗系统(200)下面，其中所述长度(201)至少大约5mm。6.根据权利要求3或5所述的装置，其中所述长度(201)至少大约10mm。7.根据权利要求3或5所述的装置，其中所述长度(201)至少大约20mm。8.根据权利要求2-7之一所述的装置，其中在出口(17)和入口(18)之间产生的穿过至少部分在投射系统(PL)的末端镜头和基底(W)之间的投射光束(PB)的所述层流气流，包括对所述投射系统的所述辐射基本上不吸收的冲洗气体。9.根据权利要求8所述的装置，其中所述冲洗气体包括从N2、He、Ar、Kr和Ne组成的组中选择的一种或多种气体。10.根据权利要求8或9所述的装置，其中在所述路径的所述部分上所述冲洗气体的空气杂质含量小于5ppm...
【专利技术属性】
技术研发人员：PK德博克西，TAR范恩佩，RJ胡特曼斯，ACA乔科斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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