树脂密封型半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种树脂密封型半导体装置及其制造方法，即使将发热量大的第一半导体芯片和发热量小的第二半导体芯片一体地由树脂密封，也没有影响。由在各外引线２５Ａ、２５Ａ…上引线接合外部电极引出用的焊盘１６、１６的发热量大的第一半导体芯片１５和在各外引线２５Ｂ、２５Ｂ…上引线接合外部电极引出用焊盘１８、１８的比第一半导体芯片放发量小的第二半导体芯片１７形成，利用高导热性树脂２８模制所述第一半导体芯片１５，并利用非高导热性树脂３１一体地模制第二半导体芯片１７和由高导热性树脂模制的第一半导体芯片１５。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及利用树脂将由双极晶体管等形成的发热量大的半导体芯片和由MOS晶体管等形成的微型处理器等发热量小的LSI芯片模制在同一封装中的。
技术介绍
在电视接收机等使用的半导体装置中，将形成对接收的信号的进行放大的功率放大电路等的半导体芯片等和形成对这些功率放大电路等进行各种控制的微型处理器等的LSI芯片由同一树脂一体地模制。另外，在电机中，将向线圈中供给电流的功率用半导体芯片和由MOSFET形成的、控制所述功率用半导体芯片的控制用半导体芯片由同一树脂一体地模制。这样一体地树脂密封功率用半导体芯片和控制用半导体芯片的复合树脂密封型半导体装置正在广泛使用。图7及图8是现有复合树脂密封型半导体装置的剖面图及平面图。形成功率放大电路等的半导体芯片1由双极型晶体管构成。这些半导体芯片1被接合在引线架2的垫板部2A，半导体芯片1的外部电极引出用焊盘3、3...通过金属细线6、6...被引线接合在引线架2上具有的外引线5、5...上。同样，形成微型处理器等的LSI芯片7由MOSFET构成。这些LSI芯片7被接合在引线架2的垫板部2B上，LSI芯片7的外部电极引出用焊盘9、9通过金属细线10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，包括：引线架，其由第一垫板部和第二垫板部及对应各垫板部设置的外引线构成；发热量大的第一半导体芯片，其装在所述第一垫板部，并和与其外部电极引出用焊盘对应的所述外引线引线接合；比所述第一半导体芯片发热量小的第二半导体芯片，其装在所述第二垫板部，并和与其外部电极引出用焊盘对应的所述外引线引线接合，所述第一半导体芯片由高导热性树脂树脂密封，并将所述第二半导体芯片及由所述高导热性树脂树脂密封的所述第一半导体芯片由非高导热性树脂一体树脂密封。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-5 059144/031.一种树脂密封型半导体装置，其特征在于，包括引线架，其由第一垫板部和第二垫板部及对应各垫板部设置的外引线构成；发热量大的第一半导体芯片，其装在所述第一垫板部，并和与其外部电极引出用焊盘对应的所述外引线引线接合；比所述第一半导体芯片发热量小的第二半导体芯片，其装在所述第二垫板部，并和与其外部电极引出用焊盘对应的所述外引线引线接合，所述第一半导体芯片由高导热性树脂树脂密封，并将所述第二半导体芯片及由所述高导热性树脂树脂密封的所述第一半导体芯片由非高导热性树脂一体树脂密封。2.如权利要求1所述的树脂密封型半导体装置，其特征在于，所述第一半导体芯片是功率用双极晶体管，所述第二半导体芯片是由MOS晶体管构成的集成电路。3.如权利要求1所述的树脂密封型半导体装置，其特征在于，所述非高导热性树脂由低应力树脂构成。4.一种树脂密封型半导体装置的制造方法，其特征在于，准备由第一垫板部和第二垫板部及对应各垫板部设置的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：落合公，武真人，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，关东三洋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]