【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于MOS晶体管的。
技术介绍
过去，作为MOS晶体管的制造方法，以下所示的制造方法是人所共知的。下面，以N通道MOS晶体管为例，参照图13对其结构和制造方法进行简单的说明。在载流子密度为2×1015/cm3的n型硅基板301上，形成载流子密度为3×1016/cm3的P-WELL区302。然后，作为沟道掺杂杂质，注入硼离子，通过热氧化法形成20nm的栅极氧化膜303。接下来，采用CVD(Chemical Vapor Deposition化学气相淀积)法沉积400nm的掺杂了磷的多晶硅。其后，采用一般的光刻工艺和干蚀刻工艺形成栅极区304。然后，Nch采用注入磷离子工艺，自对准形成LDD区305(图13(a))。然后，采用CVD法形成氧化膜之后，进行各向异性高的干式蚀刻。由于采用CVD法，形成各向同性高的氧化膜。由于采用各向异性高的干式蚀刻法，让氧化膜只残留在多晶硅的两边，形成侧壁垒区306(图13(b))。接下来，按照5×10E15个/cm2左右的注入量注入磷，形成源极/漏极区307。另外，由于该区含有高浓度的杂质，使电阻率下降，所以还可用...
【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于包括：掺杂了一种导电型杂质的半导体区；在所述半导体区上形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极；低浓度层，是在所述半导体区内，以第一注入量注入另一种导电型的第一杂质，在从所述 半导体区的主平面到第一深度为止的区域内形成的低浓度层；以及高浓度层，是在所述半导体区内，以高于所述第一注入量低于１×１０Ｅ１５个／ｃｍ↑［２］的第二注入量注入另一种导电型的第二杂质，在从所述半导体区的主平面到比所述第一深度浅的第二深 度为止的区域内形成的高浓度层。
【技术特征摘要】
JP 2003-3-14 2003-0705521.一种半导体装置，其特征在于包括掺杂了一种导电型杂质的半导体区；在所述半导体区上形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极；低浓度层，是在所述半导体区内，以第一注入量注入另一种导电型的第一杂质，在从所述半导体区的主平面到第一深度为止的区域内形成的低浓度层；以及高浓度层，是在所述半导体区内，以高于所述第一注入量低于1×10E15个/cm2的第二注入量注入另一种导电型的第二杂质，在从所述半导体区的主平面到比所述第一深度浅的第二深度为止的区域内形成的高浓度层。2.一种半导体装置，其特征在于包括掺杂了一种导电型杂质的半导体区；在所述半导体区上形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极；低浓度层，是在所述半导体区内，以第一注入量注入另一种导电型的第一杂质，在从所述半导体区的主平面到第一深度为止的区域内形成的低浓度层；以及高浓度层，是在所述半导体区内，以第二注入量注入另一种导电型的第二杂质，使浓度的峰值位置处于比所述第一深度浅0.15μm以上的第二深度的位置，从所述半导体区的主平面开始向纵深方向形成的高浓度层。3.一种半导体装置，其特征在于包括掺杂了一种导电型杂质的半导体区；在所述半导体区上形成的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成的栅电极；低浓度层，是在所述半导体区内，以第一注入量注入另一种导电型的第一杂质，在从所述半导体区的主平面到第一深度为止的区域内形成的低浓度层；以及高浓度层，是在所述半导体区内，以高于所述第一注入量低于1×10E15个/cm2的第二注入量，注入另一种导电型的第二杂质，使浓度的峰值位置处于比所述第一深度浅0.15μm以上的第二深度的位置，从所述半导体区的主平面开始向纵深方向形成的高浓度层。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于所述的一种导电型材料为N型，另一种导电型材料为P型。5.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于所述的第二杂质是砷。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：芳贺泰，滨宗佳，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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