【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于光生伏打装置(photovoltaic device)及具有透明导电膜的元件，特别是关于设置有由氧化铟层所构成的透明导电膜的光生伏打装置及具有透明导电膜的元件。
技术介绍
现有，具有由氧化铟层所构成的透明导电膜的光生伏打装置等具有透明导电膜的元件已为人所知。这些电动势装置等具有透明导电膜的元件，例如，在特开平5-136440号公报中有说明。在该特开平5-136440号公报中，公示了设置有由包含锡作为搀杂的氧化铟锡(ITOIndium Tin Oxide)层所构成的透明导电膜的光生伏打装置。在以下的本专利技术说明书中，作为具有透明导电膜的元件的一例，以光生伏打装置为例加以说明。图7是表示具有基于现有一例的透明导电膜的光生伏打装置的结构的立体图。参照图7，在现有例的光生伏打装置中，在n型单晶硅基板101的上面，顺次形成实质上真性的i型非晶质硅层102、p型非晶质硅层103、由ITO所构成的透明导电膜104、以及由金属构成的集电极105。集电极105是由以既定的间隔相互平行延伸而形成的多个指状电极部105a，与集合流过该指状电极部105a电流的母线电...
【技术保护点】
一种光生伏打装置，其特征在于，具有：光从表面侧入射的光电变换层；和透明导电膜，在所述光电变换层的表面上形成、在包含具有（２２２）面的取向的氧化铟层的同时，所述氧化铟层的（２２２）的峰包含两个峰。
【技术特征摘要】
JP 2003-3-14 2003-0690071.一种光生伏打装置，其特征在于，具有光从表面侧入射的光电变换层；和透明导电膜，在所述光电变换层的表面上形成、在包含具有(222)面的取向的氧化铟层的同时，所述氧化铟层的(222)的峰包含两个峰。2.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于所述透明导电膜还具有在其上形成、由非晶质半导体及微晶半导体中至少任一种所构成的半导体层。3.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于，所述氧化铟层中的(222)的峰包含2θ(θX射线衍射角)为30.1±0.1度的第一峰；和2θ(θX射线衍射角)为30.6±0.1度的第二峰。4.根据权利要求3所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一峰的强度(I1)与所述第二峰的强度(I2)的比(I1/I2)为0.07以上0.9以下。5.根据权利要求4所述的光生伏打装置，其特征在于所述第一峰的强度(I1)与所述第二峰的强度(I2)的比(I1/I2)为0.25以上0.75以下。6.根据权利要求1所述的光生伏打装置，其特征在于所述氧化铟层包含Sn。7.根据权利要求6所述的光生伏打装置，其特征在于所述氧化铟层中的Sn相对In的含量在1重量％以上10重量％以下。8.一种光生伏打装置，其特征在于，具有具有表面及背面、光从所述表面侧入射的第一导电型的晶体系半导体基板；在所述晶体系半导体基板的表面上形成、实质上真性的第一非晶质半导体层；在所述第一非晶质半导体层上形成的第二导电型的第二非晶质半导体层；和透明导电膜，在所述第二非晶质半导体层上形成、在包含具有(222)面取向的氧化铟层的同时，所述氧化铟层的(222)的峰包含两个峰。9.根据权利要求8所述的光生伏打装置，其特征在于，所述氧化铟层中的(222)的峰包含2θ(θX射线衍射角)为30.1±0.1度的第一峰；和2θ(θX射线衍射角)为30.6±0.1度的第二峰。10.根据权利要求9所述的光...
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