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本发明披露了一种能够防止发生结泄漏的半导体装置及其制造方法，其特征在于包括：注入了一种导电型杂质的半导体区（１０３）；在所述半导体区（１０３）上形成的栅极绝缘膜（１０５）；在所述栅极绝缘膜（１０５）上形成的栅电极（１０６）；以第一注入量在所...
该专利属于精工爱普生株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过精工爱普生株式会社授权不得商用。

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