【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种改善晶圆表面平坦度方法，特别是有关一种在晶圆的主动表面以化学气相沉积法(chemicl vapor deposition；CVD)沉积复数层薄膜时，改善上述薄膜表面的平坦度的方法。
技术介绍
如图1所示，是一俯视示意图，是显示晶圆100在一CVD薄膜沉积设备(未绘示于图面)的反应腔室200内。其中，反应腔室200具有八个反应气体注入口210，以环状且均匀排列于晶圆100的上方。当CVD反应开始时，一反应气体(未绘示于图面)从反应气体注入口，进入反应腔室200内，发生化学反应形成所要在晶圆100上所沉积薄膜的构成物质(未绘示于图面)，例如为一介电质，沉积于晶圆100的表面上。如图2A所示，是显示在图1中完成薄膜沉积及平坦化后的晶圆100沿弧线AA的剖面图，其中薄膜110是上述以CVD法沉积于晶圆100上的薄膜，例如为一介电质层。在上述薄膜沉积过程中，因反应气体注入口210附近具有浓度较大的反应气体，因此在晶圆100的表面中，与反应气体注入口210距离愈近之处，所沉积的薄膜110厚度愈厚，因此薄膜110呈现不平整的表面。虽然可以例如化学机械研...
【技术保护点】
一种改善晶圆表面平坦度的方法，适用在一晶圆上以化学气相沉积法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）沉积复数层的薄膜，其特征在于所述的改善晶圆表面平坦度的方法包括： 提供一晶圆； 将该晶圆置入一第一薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜，其中该第一薄膜沉积设备具有至少一第一反应气体注入口（ｉｎｊｅｃｔｏｒ），且该晶圆相对该第一反应气体注入口具有一第一方向； 将该晶圆置入一第二薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第二层薄膜，其中该第二薄膜沉积设备具有至少一第二反应气体注入口（ｉｎｊｅｃｔｏｒ），而该第二反应气体注入口的数量与...
【技术特征摘要】
1.一种改善晶圆表面平坦度的方法，适用在一晶圆上以化学气相沉积法(chemical vapor deposition；CVD)沉积复数层的薄膜，其特征在于所述的改善晶圆表面平坦度的方法包括提供一晶圆；将该晶圆置入一第一薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第一层薄膜，其中该第一薄膜沉积设备具有至少一第一反应气体注入口(injector)，且该晶圆相对该第一反应气体注入口具有一第一方向；将该晶圆置入一第二薄膜沉积设备中，以化学气相沉积法沉积一第二层薄膜，其中该第二薄膜沉积设备具有至少一第二反应气体注入口(injector)，而该第二反应气体注入口的数量与排列方式与该第一反应气体注入口的数量与排列方式大体相同，且该晶圆相对该第二反应气体注入口具有一第二方向，该第二方向与该第一方向具有一第一角度，使该第二反应气体注入口在该晶圆上的投影点与该第一反应气体注入口在该晶圆上的投影点不同。2.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平坦度的方法，其中该第一薄膜沉积设备是具有复数个以环状且均匀排列的该第一反应气体注入口。3.根据权利要求2所述的改善晶圆表面平坦度的方法，其中该第一角度大体为A×(360°/(M×N))，其中N是该些第一反应气体注入口的数量；M是预计在该晶圆上所沉积薄膜的层数的不为1的因子；A是不为0的整数且A不等于M以及M的倍数。4.根据权利要求2所述的改善晶圆表面平坦度的方法，其中该些第一角度大体为(360°/(2×N))的奇数倍，其中N是该第一反应气体注入口的数量。5.根据权利要求2所述的改善晶圆表面平坦度的方法，其中该些第一反应气体注入口的数量为8或12。6.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平坦度的方法，其中该晶圆在该第一薄膜沉积设备与该第二薄膜沉积设备的动线大体相同；而在该晶圆置入该第二薄膜沉积设备中之前更包含提供一晶圆方向控制设备；使用该晶圆方向控制设备，将该晶圆旋转一第二角度，其中该第二角度大体等于该第一角度；其中该晶圆在沉积该第一薄膜之后与使用该晶圆方向控制设备旋转该晶圆之前，该晶圆的方向大体为该第一方向。7.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平坦度的方法，其中该些薄膜为介电质层。8.根据权利要求1所述的改善晶圆表面平坦度的方法，其中该晶圆更包含一定位辨识设计。9.根据权利要求8所述的改善晶圆表面平坦度...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹前庆，欧阳允亮，卢永伟，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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