处理一种如半导体晶片的工件的方法和设备技术

在用于清洁工件或晶片的系统中，在该工件表面形成一被加热液体的边界层。臭氧被提供到该工件周围。该臭氧在所述边界层中扩散并与该工件表面的污染物发生化学反应。一般高速的被加热液体喷流被引向所述工件，以物理方式上从所述工件驱逐或去除污染物。该喷流在撞击位置穿过所述边界层。而该边界层大部分不受到影响。比较理想的是，该液体包含水，也可以包含一种化学物质。蒸汽也被喷向所述工件，该蒸汽也可以以物理方式去除污染物，并加热该工件以加速该化学清洁过程。所述工件和所述液体喷流彼此相对移动，从而面向该喷流的所述工件的全部表面至少可以即刻的充分暴露于该喷流。声波或电磁能量也可被引入该工件。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

半导体装置被广泛的应用于几乎所有消费电子产品中，如电话、电脑、CD播放机等等，同样的也应用于通讯、医疗、工业、军事和办公室用品和设备中。半导体装置是由半导体晶片制成的。半导体晶片的清洁常常是半导体装置制造过程中的一个关键步骤。晶片上的面积通常是若干分之几微米的量级，而薄膜的厚度可以是20埃的量级。这使得由该晶片制造的装置非常有可能发生由有机物、微粒或金属的/离子的污染引起的性能降低或者性能故障。甚至在制造结构中被采用的二氧化硅，如果该氧化物的质量或厚度不符合设计参数都可能被视为污染物。尽管晶片清洁具有很长的历史，“现代”清洁技术时代被认为是在70年代早期RCA被开发的时候开始的，RCA是一种用来处理各种污染物的清洁程序。尽管在同时其他人专利技术了相同或类似的方法，总体清洁程序的最终形式是基本相同的。所述RCA清洁程序的第一步包括采用硫酸和过氧化氢的混合物去除有机污染物。所采用的比例通常为2∶1到20∶1，温度为90-140摄氏度。该混合物通常被称为“食人鱼”。在一种最新的提高去除有机污染物的方法中，臭氧代替过氧化氢作泡状进入或被注入所述硫酸线。所述方法的第二步包括通常在周围温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洁平面介质工件的方法，包括以下步骤：在所述工件上形成一被加热液体的边界层；向所述工件周围的环境提供臭氧；以及将一液体喷流引入所述边界层以物理的方式驱逐所述工件上的污染物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔肯尼，布赖恩埃格特尔，埃里克伯格曼，达娜斯克兰顿，
申请(专利权)人：塞米特公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]