【技术实现步骤摘要】
与本专利技术相关的
技术介绍
业界不断地在寻找改善制造微电子电路和元件，比如从晶片制造集成电路的处理方法。人们发现了各种各样的改善，但通常都以一个或多个目的作为设计目标。这些改善的目标包括1)减少把晶片处理成期望的集成电路所需的时间，2)增加单位晶片变成可用的集成电路的产量，比如通过减少处理过程中晶片污染的可能性；3)减少把晶片变成期望的集成电路的步骤；4)减少把晶片处理成集成电路的成本，比如通过减少处理过程所需的化学物质的成本。在处理晶片时，通常有必要把晶片的一个或多个表面放置在某一流体如液体、蒸汽或气体中。举例来说，这些流体被用于腐蚀晶片表面，清洁晶片表面，烘干晶片表面，钝化晶片表面，沉淀晶片表面的薄膜等。控制处理流体的物理参数，比如它们的温度，分子组成，剂量等，通常对处理操作的成功起着关键作用。因此，把这些流体导入晶片的表面的过程必须在受控的环境下进行。一般地，这些晶片处理都发生在目前人们熟知的反应器中。业界已经知道并使用着各种结构和配置的反应器。Semitool公司用着一个这样的反应器，并把它应用到它们的Equinox(该公司品牌)处理工具。一般而言，反应器由反...
【技术保护点】
一种用于处理微电子工件的方法，所述方法将处理流体施加到所述工件上，所述工件具有第一侧和第二侧，在所述第二侧上有一金属层，外周边（１６）连接所述第一侧和第二侧，其特征在于：旋转所述工件；将一处理流体提供到所述第二侧的外边缘（１ ８），并通过控制流体速率、流体压力、和／或旋转速率，防止所述处理流体与所述工件的第二侧外边缘（１８）以外接触；以及所述处理流体将所述金属层从所述第二侧的外边缘去除。
【技术特征摘要】
US 1998-3-13 09/041,901;US 1998-3-13 09/041,649;US1.一种用于处理微电子工件的方法，所述方法将处理流体施加到所述工件上，所述工件具有第一侧和第二侧，在所述第二侧上有一金属层，外周边(16)连接所述第一侧和第二侧，其特征在于旋转所述工件；将一处理流体提供到所述第二侧的外边缘(18)，并通过控制流体速率、流体压力、和/或旋转速率，防止所述处理流体与所述工件的第二侧外边缘(18)以外接触；以及所述处理流体将所述金属层从所述第二侧的外边缘去除。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于在一个反应器(2100)中处理所述工件，并通过旋转所述工件产生的离心力，防止所述处理流体在所述工件的第二侧外边缘(18)以外流动，并且通过位于工件的外周边(16)向内的出口(2124)将所述处理流体从所述反应器(2100)中去除，这样所述处理流体不在所述第二侧外边缘(18)以外流动，并且所述金属层从所述外边缘被去除而不从所述第二侧的其它位置被去除。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述出口(2124)垂直设置在所述外边缘的上面。4.根据权利要求1所述的方法，还包括提供惰性流体到所述工件的第二侧的步骤。5.根据权利要求1所述的方法，还包括提供处理流体到外周边的步骤。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件具有一个障碍层和在所述障碍层上的种子层，所述金属层在所述种子层上面，所述处理流体可以蚀刻至少所述种子层和金属层，以便从所述第二侧的外边缘去除所述种子层和金属层。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述工件还具有在所述外周边上的金属层，所述处理流体也从所述外周边去除金属层。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于提供处理流体到所述工件的第一侧，所述处理流体在第一侧上向外移动，到所述外周边，然后围绕所述外周边流动并流到所述第二侧的外边缘。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于施加第一处理流体到所述第一侧并施加第二处理流体到所述第二侧；防止所述第二处理流体与所述工件的第二侧的外边缘接触；和用第一处理流体接触所述工件的第二侧的外边缘和所述外周边。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于通过控制所述处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：加里L柯蒂斯，雷蒙F汤普森，斯蒂文L皮斯，
申请(专利权)人：塞米特公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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