半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置的制造方法，包括：（ａ）在半导体基板形成了集成电路的第一面上形成第一树脂层；（ｂ）通过从与第一面相反的第二面去掉一部分而使半导体基板变薄而形成贯通电极，该贯通电极具有从第二面突出的第二突出部；（ｃ）在半导体基板的第二面上，通过避开突出部而形成第二树脂层。这样，可以提高其可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
现在正在开发三维安装形式的半导体装置。已知在半导体芯片上形成贯通电极并且通过堆叠半导体芯片来粘结上下贯通电极。在堆叠的上下半导体芯片之间填充了树脂(补填材料)，由于基于该树脂固化收缩的应力，有时在某一个半导体芯片上产生翘曲和破裂。特别地，最上层的半导体芯片由于只在其一面(下侧)上设置了树脂，由于不平衡施加了基于树脂固化收缩的应力，助长了半导体芯片的翘曲和破裂。
技术实现思路
本专利技术目的是针对以谋求可靠性的提高。(1)有关本专利技术的一种半导体装置的制造方法，包括(a)在半导体基板中形成了集成电路的第一面上形成第一树脂层的工序；(b)通过从与上述第一面相反的第二面去掉一部分而使上述半导体基板变薄，形成具有从上述第二面突出的第二突出部的贯通电极的工序；(c)在上述半导体基板的上述第二面上，露出上述第二突出部表面的至少一部分，形成第二树脂层的工序。依据本专利技术，在半导体基板的两个面上形成了树脂层。这样，由于任何一个树脂层固化收缩(或者膨胀)将由其它树脂层产生的应力相抵消，则施加到半导体基板上的应力减缓，能够防止其翘曲和破裂。(2)在该半导体装置的制造方法中，上述贯通电极具有从上述第一面突出的第一突出部；在上述(a)工序中，按照比上述第一突出部更低那样形成上述第一树脂层。这样，能够使第一树脂层和第一突出部之间的级差变小。因此，能够将半导体基板保持为水平，并能够稳定进行薄形化工序。(3)在该半导体装置的制造方法中，上述贯通电极具有从上述第一面突出的第一突出部；在上述(a)工序中，按照与上述第一突出部具有相同高度那样形成上述第一树脂层。这样，能够使第一树脂层和第一突出部之间没有级差，和使第一面变成平坦。因此，能够将半导体基板保持为水平，并能够稳定进行薄形化工序。(4)在该半导体装置的制造方法中，以在上述半导体基板的上述第一面侧设置增强部件的状态进行上述(b)工序。(5)在该半导体装置的制造方法中，在上述(c)工序中，按照比上述第二突出部更低那样形成上述第二树脂层。这样，当堆叠多个半导体基板时，能够使堆叠的上下半导体基板的贯通电极之间能够可靠地粘结，并改善电连接的可靠性。(6)在该半导体装置的制造方法中，在上述半导体基板上形成多个上述集成电路，与各个上述集成电路对应形成上述贯通电极；还包括沿着切断区域切断上述半导体基板的工序。(7)在该半导体装置的制造方法中，在上述(a)工序中，通过避开上述半导体基板的上述切断区域的至少一部分来形成上述第一树脂层。这样，半导体基板切断变得容易，能够防止碎片和破裂。如果在第一树脂层中不向切断面露出(或者露出少)，则能够防止第一树脂层从第一面剥离。(8)在该半导体装置的制造方法中，在上述(c)工序中，通过避开上述半导体基板的上述切断区域的至少一部分来形成上述第二树脂层。这样，半导体基板切断变得容易，能够防止碎片和破裂。如果在第二树脂层中不向切断面露出(或者露出少)，则能够防止第二树脂层从第二面剥离。(9)在该半导体装置的制造方法中，还包括将上述(a)～(c)工序完成后的多个上述半导体基板堆叠，并通过上述贯通电极使上下半导体基板电连接的工序。(10)在该半导体装置的制造方法中，还包括在上述上下半导体基板之间填充树脂的工序。这样，能够维持和增强上下半导体基板的接合状态。(11)在该半导体装置的制造方法中，上述第一和第二树脂层以及上述树脂都由相同的材料构成。这样，能够防止因不同材料导致的界面剥离的发生。(12)有关本专利技术的半导体装置，包括半导体基板，其具有形成了集成电路的第一面和与其相反的第二面；贯通电极，其具有从上述第一面突出的第一突出部和从上述第二面突出的第二突出部；第一树脂层，其在上述半导体基板的上述第一面上避开上述第一突出部而被形成；和第二树脂层，其在上述半导体基板的上述第二面上让上述第二突出部表面的至少一部分露出而被形成。依据本专利技术，在半导体基板的两个面上形成了树脂层。这样，由于任何一个树脂层固化收缩(或者膨胀)使得将另一方树脂层产生的应力抵消，因此施加到半导体基板的应力被缓解，能够防止其翘曲和破裂。(13)在该半导体装置中，上述第一树脂层被形成为比上述第一突出部更低。(14)在该半导体装置中，上述第一树脂层被形成为与上述第一突出部具有相同的高度。(15)在该半导体装置中，上述第二树脂层被形成为比上述第二突出部更低。这样，当堆叠多个半导体装置时，能够使被堆叠的上下半导体装置的贯通电极之间可靠地粘结，并提高电连接可靠性。(16)在该半导体装置中，在上述半导体基板上形成了多个上述集成电路；上述贯通电极被形成为与各个上述集成电路对应。(17)在该半导体装置中，上述第一和第二树脂层的至少一方通过避开上述半导体基板的用于获得多个芯片的切断区域的至少一部分来形成。这样，半导体基板变得容易切断，能够防止碎片和破裂的发生。而且，如果树脂层上向着切断面没有露出(或者露出少)，能够防止树脂层从半导体基板的面剥离。(18)有关本专利技术的半导体装置，由上述多个半导体装置堆叠构成；上述多个半导体装置中的上下半导体装置通过上述贯通电极连接。(19)在该半导体装置中，在上述上下半导体装置之间填充树脂后构成。这样，能够维持和增强上下半导体装置的接合状态。(20)在该半导体装置中，上述第一和第二树脂层以及上述树脂都用同一材料构成。这样，能够防止由于不同材料导致的界面剥离的发生。附图说明图1A～图1D是说明本专利技术实施方式之半导体装置的制造方法的示意图。图2A～图2D是说明本专利技术实施方式之半导体装置的制造方法的示意图。图3A和图3B是说明本专利技术实施方式之半导体装置的制造方法的示意图。图4A和图4B是说明本专利技术实施方式之半导体装置的制造方法的示意图。图5是说明本专利技术实施方式之半导体装置的制造方法的示意图。图6是说明本专利技术实施方式之半导体装置的制造方法的示意图。图7是说明本专利技术实施方式之半导体装置的示意图。图8是说明本专利技术实施方式之半导体装置的示意图。图9是表示本专利技术实施方式之电路基板的示意图。图10是表示本专利技术实施方式之电子设备的示意图。图11是表示本专利技术实施方式之电子设备的示意图。具体实施例方式下面，参考附图说明本专利技术的实施方式。图1A～图6是说明适用于本专利技术之实施方式的半导体装置的制造方法的示意图，图7和图8是说明半导体装置的示意图。而且，图4B是图4A的IVB-IVB线的剖面图。在本实施方式中，使用半导体基板10。在半导体基板10上制作了集成电路(例如具有晶体管和存储器的电路)12的至少一部(一部或者全部)。在半导体基板10上也可以制作多个集成电路12之每一个的至少一部，以及一个集成电路12的至少一部。在半导体基板10上形成了多个电极(例如焊盘)14。各个电极14被电连接到集成电路12。各个电极可以由铝形成。电极14的表面形状没有特别限定，但大多为矩形。在半导体基板10上形成了一层或者一层以上的钝化膜16、18。钝化膜16、18能够由例如SiO2、SiN、聚酰亚胺树脂等形成。在图1A所示的例子中，在钝化膜16上形成了电极14、以及将集成电路12和电极14连接的布线(未图示)。另一个钝化膜18通过避开电极14表面的至少一部而形成。钝化膜18在覆盖电极14表面而形成之后，通过蚀刻其一部而露本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：（ａ）在半导体基板中形成了集成电路的第一面上形成第一树脂层的工序；（ｂ）通过从与所述第一面相反的第二面去掉一部分而使所述半导体基板变薄，形成具有从所述第二面突出的第二突出部的贯通电 极的工序；（ｃ）在所述半导体基板的所述第二面上，露出所述第二突出部表面的至少一部分，形成第二树脂层的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-19 2003-1753231.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括(a)在半导体基板中形成了集成电路的第一面上形成第一树脂层的工序；(b)通过从与所述第一面相反的第二面去掉一部分而使所述半导体基板变薄，形成具有从所述第二面突出的第二突出部的贯通电极的工序；(c)在所述半导体基板的所述第二面上，露出所述第二突出部表面的至少一部分，形成第二树脂层的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述贯通电极具有从所述第一面突出的第一突出部；在所述(a)工序中，按照比所述第一突出部更低那样形成所述第一树脂层。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述贯通电极具有从所述第一面突出的第一突出部；在所述(a)工序中，按照与所述第一突出部具有相同高度那样形成所述第一树脂层。4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，以在所述半导体基板的所述第一面侧设置增强部件的状态进行所述(b)工序。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述(c)工序中，按照比所述第二突出部更低那样形成所述第二树脂层。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述半导体基板上形成多个所述集成电路，与各个所述集成电路对应形成所述贯通电极；还包括沿着切断区域切断所述半导体基板的工序。7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述(a)工序中，通过避开所述半导体基板的所述切断区域的至少一部分来形成所述第一树脂层。8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述(c)工序中，通过避开所述半导体基板的所述切断区域的至少一部分来形成所述第二树脂层。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括将...

【专利技术属性】
技术研发人员：深泽元彦，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]