【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体组件的结构及其制造方法，特别是涉及一种电阻型随机存取内存(Resistance Random Access Memory，RRAM)的结构及其制造方法。
技术介绍
大型磁阻(Colossal Magnetoresistive，CMR)薄膜以及具有钙钛矿结构(Perovskite Structure)或相关结构的氧化薄膜是具有电阻可逆性的薄膜材料，因此其可以应用在可逆的开关制程(Reversible SwitchingProcess)中。较详细的说明是，对于CMR电阻薄膜而言，当施予一正向电脉冲(电压)至此电阻器时，可以使其电阻值被程序化(programmed)成高电阻状态，而当施予相同振幅的反相电脉冲(电压)至此电阻器时则可以使其电阻值被程序化成低电阻状态。同样的，对具有钙钛矿结构或相关结构的氧化电阻薄膜而言，当施予一正向电脉冲(电流)至此电阻器时，可以使其电阻值被程序化成低电阻状态，而当施予相同振幅的反相电脉冲(电流)至此电阻器时则可以使其电阻值被程序化成高电阻状态。由于上述两种电阻器都是具有电阻可逆的性质，因此可以将其应用在内存组件...
【技术保护点】
一种电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其包括：复数条字符线，配置在一基底中；复数条重设线（ＲｅｓｅｔＬｉｎｅ），其是与该些字符线邻接；一介电层，配置在该基底上；复数个内存单元，配置在该介电层中，其中每一 该些内存单元包括一下电极、一上电极以及夹在该上电极以及该下电极之间的一电阻薄膜，且相同一列的该些内存单元的该下电极是与其中一该些重设线电性接触；以及复数条位线，配置在该些内存单元上，其中相同一行的该些内存单元的该上电极是与其中一该些 位线电性接触。
【技术特征摘要】
US 2003-8-6 10/604,6271.一种电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其包括复数条字符线，配置在一基底中；复数条重设线(Reset Line)，其是与该些字符线邻接；一介电层，配置在该基底上；复数个内存单元，配置在该介电层中，其中每一该些内存单元包括一下电极、一上电极以及夹在该上电极以及该下电极之间的一电阻薄膜，且相同一列的该些内存单元的该下电极是与其中一该些重设线电性接触；以及复数条位线，配置在该些内存单元上，其中相同一行的该些内存单元的该上电极是与其中一该些位线电性接触。2.根据权利要求1所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其中所述的该些重设线是配置在该些字符线中，且该些重设线的离子型态是与该些字符线的离子型态相反。3.根据权利要求1所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其中所述的该些重设线是配置在该些字符线的表面上，且该些重设线的材质是包括一金属材质。4.根据权利要求1所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于更包括复数个字符线接触窗，配置在该介电层中，且每一该些字符线接触窗是与对应的其中一该些字符线电性连接。5.根据权利要求4所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于更包括复数个掺杂区，该些掺杂区是配置在该些字符线中，且每一掺杂区是与对应的其中一该些字符线接触窗电性接触，且该些掺杂区是与该些字符线的离子型态相同。6.根据权利要求1所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于更包括复数个重设线接触窗，配置在该介电层中，且每一该些重设线接触窗是与对应的其中一该些重设线电性连接。7.根据权利要求1所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其中所述的相同一列的该些内存单元是配置在其中一该些重设线的表面上。8.根据权利要求1所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其中所述的该些内存单元的该电阻薄膜是为具有电阻可逆性的薄膜材料。9.根据权利要求8所述的电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其中所述的具有电阻可逆性的薄膜材料包括大型磁阻(ColossalMagnetoresistive，CMR)薄膜或具有钙钛矿结构(Perovskite Structure)的氧化薄膜。10.一种电阻型随机存取内存的制造方法，其特征在于其包括以下步骤在一基底中形成复数条字符线；形成复数条重设线，每一该些重设线是与对应的其中一该...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文岳，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。