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本发明是关于一种电阻型随机存取内存的结构，其包括数条字符线，配置在一基底中；数条重设线，配置在对应的字符线中，且重设线的离子型态是与字符线的离子型态相反；一介电层，配置在基底上；数个内存单元，配置在介电层中，并且每一内存单元包括一下电极、一...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。

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