半导体发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种作为色调偏差少的高亮度光源的半导体发光装置。在基板１的上部设置的具有研钵状凹部的反射框２的底面上安置ＬＥＤ芯片４，将在透光性树脂中混入了荧光体７和２０～８０ｗｔ％的扩散剂８的波长变换构件９充填到凹部内，密封ＬＥＤ芯片４。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光装置，具体涉及通过加法混色来发出任意色调的光的半导体发光装置，该加法混色是指将从半导体发光元件(发光二极管芯片)射出的光与从发光二极管芯片射出并被荧光体变换了波长的光进行组合。
技术介绍
专利文献1特许第3065544号公报(第2页、图1)为了实现把发出具有陡峭光谱分布特性的光的发光二极管(LED)芯片作为光源来发出白色光的LED，可以对以下两种光进行加法混色来得到白色光，该两种光是从LED芯片射出的光、和从LED芯片射出的光通过激励荧光体而变换波长后的光。例如，当从LED芯片射出的光是蓝色光时，可以使用通过由蓝色光激励而变换波长得到作为蓝色的互补色的黄色光的荧光体，通过对以下两种光进行加法混色，得到白色光。该两种光是从LED芯片射出的蓝色光通过激励荧光体而变换波长所得到的黄色光、和从LED芯片射出的蓝色光。此外，即使从LED芯片射出的光是蓝色光，也可以使用混合了通过由蓝色光激励而分别变换波长得到绿色光和红色光的2种荧光体的荧光体，通过对以下三种光进行加法混色，得到白色光。该三种光是从LED芯片射出的蓝色光通过激励荧光体而变换波长所得到的绿色光和红色光、以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，是用在透光性树脂中混入了至少１种荧光体和扩散剂的波长变换构件来密封至少一个发光二极管芯片的发光二极管，其特征在于，上述波长变换构件中混入了２０～８０ｗｔ％的上述扩散剂。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-17 324884/20031.一种半导体发光装置，是用在透光性树脂中混入了至少1种荧光体和扩散剂的波长变换构件来密封至少一个发光二极管芯片的发光二极管，其特征在于，上述波长变换构件中混入了20～80wt％的上述扩散剂。2.权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，上述发光二极管芯片发出紫外光。3.权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，上述发光二极管芯片发出蓝色光或绿色光。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：森田康正，大场勇人，藤泽茂夫，田中稔，
申请(专利权)人：斯坦雷电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]