【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种发光二极管及固态白光器件，详言之，是关于一种具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件。现有技术近年来，由于氮化物发光器件的快速发展，对于高亮度发光二极管产生了高速成长的需求。例如利用于手机背光源、指示灯、户外显示看板等。随着发光效率的大幅度提升，因此开始对利用高亮度发光二极管以产生白色光源抱持极大的兴趣和期望。目前利用高亮度发光二极管产生白色光源主要有以下三种结构。第一种为日亚化学所专利技术的利用蓝光发光二极管加上黄色荧光粉(YAG-Ce；Y3Al5O12:Ce3+)而产生混色白光(参考美国专利第6,069,440号)，此种结构可制作目前市面上成本最低的白光器件。但由于其具有蓝色光晕现象(Halo effect)，且荧光粉有可靠度衰减与光转化效率低，与仅利用单一发光二极管其发光效率有限的缺点，因而无法得到具有高色彩饱和度、各种色温调节的高强度、高可靠度的白光发光器件。第二种是近年来为改善前者白光光源的演色性(Color renderingindex-CRI)不佳而提出，此为利用紫外光激发可产生红蓝绿(RGB)三色的荧光粉而产生高演色...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管，包括一基板；一缓冲层，形成于该基板上；一N型包覆层，形成于该缓冲层上；至少一量子点发光层，形成于该N型包覆层上，该量子点发光层具有多个量子点，这些量子点的特性分布不均匀，从而增加该量子点发光层的发光波长频谱半高宽；及一P型包覆层，形成于该量子点发光层之上。2.如权利要求1的发光二极管，其中所述量子点的大小不同，从而使所述量子点的特性分布不均匀。3.如权利要求1或2的发光二极管，其中所述量子点的铟含量不同，从而使所述量子点的特性分布不均匀。4.如权利要求1的发光二极管，其中该量子点发光层还包括一第一阻挡层及一第二阻挡层，该第一阻挡层位于所述量子点的下，该第二阻挡层形成于所述量子点之上，该第一阻挡层及该第二阻挡层的能隙均大于所述量子点的能隙。5.如权利要求4的发光二极管，其中该第一阻挡层与该N型包覆层为相同结构，而成为该N型包覆层的一部分，该第二阻挡层与该P型包覆层为相同结构，而成为该P型包覆层的一部分。6.如权利要求1的发光二极管，包括多个量子点发光层，每一量子点发光层具有多个量子点，所述量子点发光层的特性分布不均匀，从而增加所述量子点发光层的发光波长频谱半高宽。7.如权利要求6的发光二极管，其中所述量子点发光层的所述量子点的大小不同，从而使所述量子点发光层的特性分布不均匀。8.如权利要求6或7的发光二极管，其中所述量子点发光层的所述量子点的铟含量不同，从而使所述量子点发光层的特性分布不均匀。9.如权利要求6的发光二极管，其中每一量子点发光层还包括一第一阻挡层及一第二阻挡层，该第一阻挡层位于所述量子点之下，该第二阻挡层形成于所述量子点之上，该第一阻挡层及该第二阻挡层的能隙均大于所述量子点的能隙。10.如权利要求9的发光二极管，其中二相邻阻挡层的材料结构相同，以省略二相邻阻挡层中之一，而为一阻挡层。11.如权利要求9的发光二极管，其中控制该第一阻挡层或该第二阻挡层的结构成分比例，使该第一阻挡层或该第二阻挡层为多个不同成分比例的阻挡层。12.如权利要求1的发光二极管，其中该发光二极管的最大光强度的发光波长在530nm-600nm范围内。13.如权利要求1的发光二极管，其中该发光二极管的最大光强度的发光波长在400nm-500nm范围内。14.一种固态白光器件，包括一氮化铝铟镓蓝光发光二极管；及一具有宽频谱的氮化铝铟镓蓝光互补色发光二极管，其与该氮化铝铟镓蓝光发光二极管封装，使蓝光与蓝光互补色混光以产生白光，该具有宽频谱的氮化铝铟镓蓝光互补色发光二极管包括；一基板；一缓冲层，形成于该基板上；一N型包覆层，形成于该缓冲层上；至少一量子点发光层，形成于该N型包覆层上，该量子点发光层具有多个量子点，所述量子点的特性分布不均匀，从而增加该量子点发光层的发光波长频谱半高宽；及一P型包覆层，形成于该量子点发光层之上。15.如权利要求14的固态白光器件，其中该具有宽频谱的氮化铝铟镓蓝光互补色发光二极管的半高宽为20-150nm。16.如权利要求14的固态白光器件，其中该具有宽频谱的氮化铝铟镓蓝光互补色发光二极管的最大光强度的发光波长在530nm-600nm范围内。17.如权利要求14的固态白光器件，其中该氮化铝铟镓蓝光发光二极管包括一基板；一缓冲层，形成于该基板上；一N型包覆层，形成于该缓冲层上；至少一量子点发光层，形成于该N型包覆层上，该量子点发光层具有多个量子点，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈政权，陈铭章，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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