【技术实现步骤摘要】
本专利技术关于一种氮化物发光元件，其提供一种具有光线撷取层的基板，将氮化物发光结构成长于此基板上。此外，本专利技术亦涉及一种高功率氮化物发光元件，其提供具有牺牲层(sacrificial layer)的基板，首先将氮化物发光结构成长于此基板上，然后经过两种以上的金属或合金结合层，将成长于基板上的氮化物发光结构与高热导系数基板相结合；再通过化学蚀刻法以化学溶液将此牺牲层完全蚀去除，而与原先的成长基板剥离，最后得以将氮化物发光结构更换设置于另一具有高热导系数的基板上。
技术介绍
传统技术的发光元件的发光效率因半导体材料与外界材质两者之间有折射率差异，使得大部分的光线无法穿透射出而使其发光效率大打折扣。以氮化物发光元件为例，此在基板上所成长氮化物的折射率为2.0～2.5，而该氧化铝(Al2O3)基板的折射率为1.77，一般封装所采用环氧树脂的折射率为1.5，因此，使得大量光线无法从磊晶层内部穿透射出而被其吸收，造成元件的发光效率远低于20％。Steigerwald等人在美国专利US 2002/0125485中揭示一种将基板背面与侧面粗化以增加光线输出的方法，但此制程...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种氮化物发光元件，其特征在于，包括一成长基板；一成长于此基板上的光线撷取层；一成长于此光线撷取层上的氮化物磊晶层；通过此光线撷取层可改变光线原来的行进路径，因而可避免光线的大部份被磊晶层吸收，而可从此发光元件射出，因此可提高发光效率；并且通过此光线撷取层与成长基板折射率的匹配，亦可大幅增加发光效率。2. 根据权利要求1所述的氮化物发光元件，其特征在于，所述成长基板的材质为氧化铝(Al2O3)。3.根据权利要求1所述的氮化物发光元件，其特征在于，所述成长基板的材质为碳化硅(SiC)。4.根据权利要求1所述的氮化物发光元件，其特征在于，该光线撷取层是选自氧化铟锡(ITO)、氧化铟(In2O3)、二氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、硒化锌(ZnSe)及氧化镁(MgO)中的一种。5.根据权利要求1所述的氮化物发光元件，其特征在于，所述光线撷取层的厚度T为0.01～3μm。6.根据权利要求1所述的氮化物发光元件，其特征在于，所述光线撷取层的宽度W为0.1～10000μm。7.一种具有牺牲层成长于其上的高功率氮化物发光元件，其特征在于，包括一磊晶成长基板；一牺牲层成长于此基板上；一氮化物磊晶层成长于此牺牲层上；一高热导系数基板，通过结合层与以上元件所构成的氮化物发光结构互相结合；一结合层、用于结合以上元件所构成的氮化物发光结构与具有高热导系数的基板；将以上所形成的氮化物发光结构经由化学蚀刻法以化学溶液，将此牺牲层与成长...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨光能，陈隆建，方照诏，简奉任，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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