【技术实现步骤摘要】
功率型高亮度白光组合半导体发光二极管(LED)芯片，属于半导体光电子
，涉及一种所需要的颜色或者白光组合半导体发光二极管芯片及其低成本高产能的批量生产方法。
技术介绍
大量的努力被投注于白光半导体发光二极管和白光组合半导体发光二极管，到目前为止，有四类方法发出白光1)使用波长转换材料，包括荧光粉，光子再生半导体材料，和染料。有关专利包括美国专利6,635,987，美国专利6,642,618。2)把红色，绿色，和蓝色的半导体发光二极管芯片组合在一起。3)外延生长单一的半导体发光二极管芯片发出不同波长的光，复合成白光，有关专利包括美国专利6,163,038。4)层叠二个不同颜色的半导体发光二极管芯片，复合成白光，有关专利包括美国专利6,633,120。以上的产生白光的方法各有其问题方法(1)荧光粉寿命短于半导体发光二极管。方法(2)红色，绿色，和蓝色半导体发光二极管芯片的组合的控制电路昂贵。方法(3)目前，单一半导体发光二极管芯片发出不同波长的光的强度仍偏低，工艺复杂。方法(4)美国专利6,633,120提出的方法是在芯片水平层叠二个不同颜色的半导体发光二极...
【技术保护点】
一种发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管（ＬＥＤ）芯片，包括但不限于：第一外延层，该层包括但不限于，依次纵向层叠的第一Ｎ－限制层，第一发光层，和第一Ｐ－限制层组成，所述的第一发光层发出具有第一波长的光；第二外延层，该层包括 但不限于，依次纵向层叠的第二Ｎ－限制层，第二发光层，和第二Ｐ－限制层组成，所述的第二发光层发出具有第二波长的光；第一波长的光的波长比第二波长的光的波长长；所述的第一外延层的一面键合到所述的第二外延层的一面；一个第二电 极层叠在所述的第二外延层的另一面；一个导电衬底键合到所述的第...
【技术特征摘要】
US 2004-2-26 10/7878161.一种发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管(LED)芯片，包括但不限于第一外延层，该层包括但不限于，依次纵向层叠的第一N-限制层，第一发光层，和第一P-限制层组成，所述的第一发光层发出具有第一波长的光；第二外延层，该层包括但不限于，依次纵向层叠的第二N-限制层，第二发光层，和第二P-限制层组成，所述的第二发光层发出具有第二波长的光；第一波长的光的波长比第二波长的光的波长长；所述的第一外延层的一面键合到所述的第二外延层的一面；一个第二电极层叠在所述的第二外延层的另一面；一个导电衬底键合到所述的第一外延层的另一面；一个第一电极层叠在所述的导电衬底的另一面。2.权利要求1所述的发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管(LED)芯片，进一步包括一个第三电极层叠在所述的第一外延层和所述的第二外延层之间；所述的第一电极和所述的第二电极有相同的电极性；所述的第三电极和所述的第二电极有相反的电极性；因此可以分别控制所述的第一外延层和所述的第二外延层的发光强度。3.权利要求1所述的发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管(LED)芯片，进一步包括一个反射/欧姆层；所述的反射/欧姆层层叠在所述的第一外延层和所述的导电衬底之间；所述的反射/欧姆层的材料是从一组材料中选出，所述的材料包括，但不限于铝，金，银，镍，铜，及它们的合金。4.权利要求1所述的发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管(LED)芯片，其特征在于，所述的第二电极具有优化的图形；所述的第二电极的优化的图形包括，但不限于环-格子-图形，叉-多环-图形；因此使得电流均匀地流过发光层。5.权利要求1所述的发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管(LED)芯片，其特征在于，所述的第一发光层的材料是从一组材料中选出，所述的材料包括但不限于AlGaInP，GaAsP，AlGaAs，AlGaP，GaInP，GaInN，GaNP，GaInNP，和GaP:N；所述的第二发光层的材料是从一组材料中选出，所述的材料包括，但不限于AlGaInN，GaInN，GaN，GaNP，GaInNP，BeZnGdSe，BeZnCdTe，ZnSe，ZnCdSe，ZnSeTe，和ZnSSe.6.一种发出混合颜色的光的组合半导体发光二极管芯片，包括，但不限于第一外延层，该层包括，但不限于，依次纵向层叠的第一类型限制层，第一发光层，第一多量子势垒-阱层，所述的第一发光层发出具有第一波长的光；第二外延层，该层包括，但不限于，依次纵向层叠的第二多量子势垒-阱层，第二发光层，第二类型限制层，所述的第二发光层...
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