集成电路的倾斜镶嵌内连接结构的形成方法技术

一种集成电路的倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，包括：　　　　形成一第一介电层于一金属插塞结构之上；　　　　形成一绝缘层于该第一介电层之上；　　　　形成至少一个低介电常数ｋ所构成的第二介电层于该绝缘层之上；　　　　第一次蚀刻该第二介电层、该绝缘层与该第一介电层，结果在该金属介层洞之上形成一介层洞与沟渠；以及　　　　第二次蚀刻该第二介电层与该绝缘层以形成该倾斜双镶嵌内连接结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路多重内连的双镶嵌(Dual damascene)结构改进，特别是一种倾斜双镶嵌内连接结构(slopped Dual Damasceneinterconnect structures)的形成方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)是集成电路中一个重要的元件，然而随着集成电路不断的进步，在制造MOSFET时也遭遇了许多问题，典型的问题如热载子效应，已藉着轻微掺杂漏极(LDD)结构的发展予以克服。然而随着晶体管的尺寸缩小至以次微米计算时，由于晶体管的通道缩短且需消耗较高的功率，导致热电子的问题再度发生。而随着元件中电场强度的增加，具有高能量的电子将射入硅层—氧化层的接面且陷入闸极氧化层中。Wei对此曾建议使用一埋入且平缓倾斜的LDD结构，以便提升热电子的可靠度，请参见Buried and Graded/Buried LDD Structure for Improved Hot-ElectronReliability，Ching-Yeu Wei，IEEE Electron Device Lett.，1986。Lo对此提供一个方法用以抑制热载子本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路的倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，包括： 形成一第一介电层于一金属插塞结构之上； 形成一绝缘层于该第一介电层之上； 形成至少一个低介电常数k所构成的第二介电层于该绝缘层之上； 第一次蚀刻该第二介电层、该绝缘层与该第一介电层，结果在该金属介 层洞之上形成一介层洞与沟渠；以及 第二次蚀刻该第二介电层与该绝缘层以形成该倾斜双镶嵌内连接结构。

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，包括形成一第一介电层于一金属插塞结构之上；形成一绝缘层于该第一介电层之上；形成至少一个低介电常数k所构成的第二介电层于该绝缘层之上；第一次蚀刻该第二介电层、该绝缘层与该第一介电层，结果在该金属介层洞之上形成一介层洞与沟渠；以及第二次蚀刻该第二介电层与该绝缘层以形成该倾斜双镶嵌内连接结构。2.如权利要求1所述的集成电路倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，其特征在于，该金属插塞为一铜金属塞。3.如权利要求1所述的集成电路倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，其特征在于，该第一介电层是由氮化硅所形成。4.如权利要求1所述的集成电路倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，其特征在于，该绝缘层是由硅玻璃或氧化硅所形成。5.如权利要求4所述的集成电路倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：