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一种集成电路的倾斜双镶嵌内连接结构的形成方法，包括：　　　　形成一第一介电层于一金属插塞结构之上；　　　　形成一绝缘层于该第一介电层之上；　　　　形成至少一个低介电常数ｋ所构成的第二介电层于该绝缘层之上；　　　　第一次蚀刻该第二介电层、该绝...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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