集成电路的斜有源区域半导体组件结构制造技术

一种半导体组件结构，其特征在于包含：　　　　闸氧化层，位于底材之上；　　　　闸极位于上述闸氧化层之上；　　　　斜主动区域，位于该底材之中的该闸极两侧；　　　　接触窗，配置于相对应之上述斜主动区域之上；　　　　氧化线性间隙壁，配置于对应该接触窗之侧，以加宽接触区域用做为存储单元接触结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体动态随机存取储存器(DRAM)的改进结构，特别是一种具有斜主动区域(titled active area)的动态随机存取储存器。
技术介绍
动态随机存取储存器(dynamic random access memory；DRAM)是一种主要的挥发性(volatile)储存器。储存单元(cell)通常由电容器与晶体管所构成，晶体管的掺杂区域或称主动区域(active area)与电容的一端连接，电容的另一端则与参考电位连接，因此，制造DRAM存储单元包含了晶体管与电容的制作工艺。一般典型的动态随机存取储存器是在半导体的基板上制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与电容器，利用接触窗来连接电容器的电荷储存电极(storage node)与金属氧化物半导体场效应晶体管的源极作电性接触。藉由电容器与源极区的电性接触，数字信息储存在电容器并藉上述的晶体管、位线、字线阵列取得所储存的数字数据。藉由电容器与源极区的电性接触，数字数据储存在电容器并藉金属氧化物半导体场效应晶体管、位线(bit line)、字线(word line)数组来取得电容器的数字数据。一般平本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：三重野文健，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：