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一种半导体组件结构，其特征在于包含：　　　　闸氧化层，位于底材之上；　　　　闸极位于上述闸氧化层之上；　　　　斜主动区域，位于该底材之中的该闸极两侧；　　　　接触窗，配置于相对应之上述斜主动区域之上；　　　　氧化线性间隙壁，配置于对应该接触...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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