半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法，通过在整个面上溅射钛形成钛层（６）。这样，Ｐ↑［＋］型扩散层（４）通过硅化物阻止层（５）的开口部（５ａ、５ｂ）与钛层（６）接触。之后，通过进行热处理，将和Ｐ↑［＋］型扩散层（４）接触的钛层（６）部分地硅化，在Ｐ↑［＋］型扩散层（４）的表面上分别地形成硅化物层（７ａ、７ｂ）。然后，将没有被硅化的钛层（６）湿法腐蚀并除去。从而可防止具有硅化物构造的扩散层电阻单元的结漏。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体及其制造方法，特别是一种包含硅化物构造的扩散层电阻单元的构造及其制造方法。
技术介绍
至今，以半导体装置的微型化、高速化为目的，为了实现降低金属布线层和扩散层的接触电阻，使用了硅化物构造。图7为表示此种扩散层电阻元件的剖面构造的图。在N型硅基板21上，通过LOCOS法或STI法形成单元分离区域22a、22b，并包围活性区域。在活性区域中形成P+型扩散层24，并只在硅化物阻止层25的开口部中，形成钛硅化物层(TiSix层)27a、27b。然后，在钛硅化物层27a、27b上设置开口部并形成金属布线层29a、29b。这样，在金属布线层29a和金属布线层29b之间通过P+型扩散层24的扩散层电阻元件被连接。图8为表示具有硅化物的构造的另一种扩散层电阻元件的剖面构造的图。这种扩散层电阻元件，被称为中耐压扩散层电阻单元，为具有耐10V程度的高压的性能的扩散电阻单元。在N型硅基板31上，将活性区域包围着通过LOCOS法或STI法形成单元分离区域32a、32b。在活性区域中形成P-型扩散层33，离开单元分离区域32a、32b一定距离在P-型扩散层33的内侧形成比其较浅的P本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于：具有：第１导电型的半导体基板；在所述半导体基板上形成的与所述第１导电型不同的第２导电型的高浓度扩散层；在所述高浓度扩散层与所述半导体基板之间形成的所述第２导电型的低浓度扩散层；在所 述低浓度扩散层上形成，并阻止金属硅化物的形成的金属硅化物阻止层；以及所述低浓度扩散层上除外，在所述高浓度扩散层上形成的金属硅化物层。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-22 2003-4253791.一种半导体装置，其特征在于具有第1导电型的半导体基板；在所述半导体基板上形成的与所述第1导电型不同的第2导电型的高浓度扩散层；在所述高浓度扩散层与所述半导体基板之间形成的所述第2导电型的低浓度扩散层；在所述低浓度扩散层上形成，并阻止金属硅化物的形成的金属硅化物阻止层；以及所述低浓度扩散层上除外，在所述高浓度扩散层上形成的金属硅化物层。2.一种半导体装置，其特征在于具有第1导电型的半导体基板；在所述半导体基板上形成的与所述第1导电型不同的第2导电型的高浓度扩散层；在所述高浓度扩散层与所述半导体基板之间形成的所述第2导电型的低浓度扩散层；以及所述低浓度扩散层上除外，在所述高浓度扩散层上形成的金属硅化物层。3.一种半导体制造方法，其特征在于具有在第1导电型的半导体基板上形成与所述第1导电型不同的第2导电型的低浓度扩散层的工序；在所述低浓度扩散层的内侧，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉原茂行，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]