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本发明涉及半导体装置及其制造方法，通过在整个面上溅射钛形成钛层（６）。这样，Ｐ↑［＋］型扩散层（４）通过硅化物阻止层（５）的开口部（５ａ、５ｂ）与钛层（６）接触。之后，通过进行热处理，将和Ｐ↑［＋］型扩散层（４）接触的钛层（６）部分地硅化，...
该专利属于三洋电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社授权不得商用。

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