【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制作薄膜集成电路器件的方法，承载薄膜集成电路的器件含有诸如存储器和微处理器(CPU中央处理单元)那样的元件，并像纸一样又薄又柔软，本专利技术还涉及一种制作非接触式薄膜集成电路器件的方法，这种器件包括薄膜集成电路和天线，器件主要用于为识别人、动植物、商品、钞票等的卡、标签、标志等物。
技术介绍
近来，在各种工业界，如食品工业和制造业，加强商品安全和管理系统的呼声一直高涨，于是商品的信息量也在增加。然而，目前关于商品信息只是主要由十几条条形线提供的像制造国、制造商或项目编号这样一些信息。信息量很少。而且在用条形码的情况下，以手工方式逐项读出条形码花费较长时间。因此，不用条形码系统而采用非接触IC式标签，利用电磁波工作的称之为RFID(射频识别)的自动识别技术受到关注。此外，为了保证动植物安全(需要例如原产地，或是否感染上传染病的信息)，把IC芯片直接植入动植物体内，用体外的信息读出器件(读出器)获得并管理动植物信息，这样的系统运用得越来越普遍。另外，每人持卡数近来不断增加，首先，利用电磁场通信的非接触式IC卡，例如以电子货币和电子票据的形式，变...
【技术保护点】
一种制作薄膜集成电路器件的方法，包括：在带有氧化物表面的半导体衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间的边界区刻槽；以及向槽内引入一种包含卤素氟化物 的气体或液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。
【技术特征摘要】
JP 2003-12-19 423888/031.一种制作薄膜集成电路器件的方法，包括在带有氧化物表面的半导体衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间的边界区刻槽；以及向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体或液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件。2.一种制作薄膜集成电路器件的方法，包括在带有氧化物表面的半导体衬底上形成一剥离层；在剥离层上形成多个薄膜集成电路器件，在其间插入基底膜；在多个薄膜集成电路器件之间的边界区刻槽；向多个薄膜集成电路器件的上部临时粘结夹具；向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以去除剥离层，分离成多个薄膜集成电路器件；以及去除粘结到多个薄膜集成电路器件上的夹具。3.一种制作薄膜集成电路器件的方法，包括在包括上层单晶硅层、含氧化硅和氮化硅之一的层以及下层单晶硅层的SOI衬底上形成多个薄膜集成电路器件；在多个薄膜集成电路器件之间的边界区刻槽；以及向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以刻蚀接近薄膜集成电路器件的下层单晶硅的至少一个表面。4.一种制作薄膜集成电路器件的方法，包括在包括上层单晶硅层、含氧化硅和氮化硅之一的层以及下层单晶硅层的SOI衬底上形成多个薄膜集成电路器件；在多个薄膜集成电路器件之间的边界区刻槽；向多个薄膜集成电路器件的上部临时粘结夹具；向槽内引入一种包含卤素氟化物的气体和液体以刻蚀接近薄膜集成电路器件的下层单晶硅的至少一个表面。去除粘结到多个薄膜集成电路器件上的夹具。5.如权利要求2的方法，在那里，夹具用一种其粘结力经UV光照射而降低或丧失的粘结材料粘结。6.如权利要求4的方法，在那里，夹具用一种其粘结力经UV光照射而降低或丧失的粘结材料粘结。7.如权利要求1的方法，在那里，用线形激光刻划、切割、和以绝缘膜作掩模刻蚀这些方法之一种方法刻槽。8.如权利要求2的方法，在那里，用线形激光刻划、切割、和以绝缘膜作掩模刻蚀这些方法之一种方法刻槽。9.如权利要求3的方法，在那里，用线形激光刻划、切割、和以绝缘膜作掩模刻蚀这些方法之一种方法刻槽。10.如权利要求4的方法，在那里，用线形激光刻划、切割、和以绝缘膜作掩模刻蚀这些方法之一种方法刻槽。11.如权利要求1的方法，在那里，在多个薄膜集成电路器件上面制备抗热绝缘膜和抗热带两者之一。12.如权利要求2的方法，在那里，在多个薄膜集成电路器件上面制备抗热绝缘膜和抗热带两者之一。13.如权利要求3的方法，在那里，在多个薄膜集成电路器件上面制备抗热绝缘膜和抗热带两者之一。14.如权利要求4的方法，在那里，在多个薄膜集成电路器件上面制备抗热绝缘膜和抗热带两者之一。15.如权利要求11的方法，在那里，抗热绝缘膜包括一种材料，它具有硅键和氧键形成的骨架，并至少包含氢作为替代原子，或至少从氟化物组成的基团、烷基基团及芳香烃中择一作为替代基团。16.如权利要求12的方法，在那里，抗热绝缘膜包括一种材料，它具有硅键和氧键形成的骨架，并至少包含氢作为替代原子，或至少从氟化物组成的基团、烷基基团及芳香...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，高山彻，神野洋平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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