在半导体器件中形成栅极的方法技术

本发明专利技术涉及一种在半导体器件中形成栅极的方法。上述方法包括下列步骤：连续地形成栅极绝缘层及层间绝缘层于基板上；图案化所述层间绝缘层成为预定结构，由此形成已图案化层间绝缘层；形成氮化物层于所述已图案化层间绝缘层上；同时蚀刻所述氮化物层及所述基板，由此获得位于所述已图案化层间绝缘层侧面上的间隔物及在所述基板中具有预定深度的沟槽；形成导电层于所述沟槽上；以及平坦化所述导电层，由此形成所述栅极。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，尤其涉及一种。
技术介绍
在半导体器件的大规模集成电路中的设计准则已逐渐缩小，因而造成栅极间之间距的变小。在考虑晶体管特性(例如短沟效应及更新特性(refresh characteristic))的情况下，目前企图要在一有限界定的间距中增大栅极的线宽。图1A及图1B所示为在半导体器件中形成栅极的传统方法的截面视图。参考图1A，场氧化层11形成于基板10中，由此界定上述基板10的激活区。然后，栅极绝缘层12形成于包含有上述基板10及上述场氧化层11的基板结构上。多晶硅层13及第一钨层14依序沉积于上述栅极绝缘层12上，以形成一栅极结构。之后，氮化物层15及第二钨层16依序形成于上述第一钨层14上。光刻胶图案18形成于上述第二钨层16上。通过使用栅极掩模来实施光刻术，以形成上述光刻胶图案18。在此，上述氮化物层15及上述第二钨层16用以作为硬掩模。特别的是，上述第二钨层16为蚀刻阻挡层，用以防止上述氮化物层15在随后用以形成栅极结构的蚀刻制程中被蚀刻掉。参考图1B，通过使用上述光刻胶图案作为掩模来连续地蚀刻图1A所示的第二钨层16、氮化物层15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在半导体器件中形成栅极的方法，包括下列步骤：连续地形成栅极绝缘层及层间绝缘层于基板上；图案化所述层间绝缘层成为预定结构，由此形成已图案化层间绝缘层；形成氮化物层于所述已图案化层间绝缘层上；同时蚀刻所述氮化 物层及所述基板，由此获得位于所述已图案化层间绝缘层侧面上的间隔物及在所述基板中具有预定深度的沟槽；形成导电层于所述沟槽上；以及平坦化所述导电层，由此形成所述栅极。

【技术特征摘要】
KR 2003-12-24 10-2003-00963141.一种在半导体器件中形成栅极的方法，包括下列步骤连续地形成栅极绝缘层及层间绝缘层于基板上；图案化所述层间绝缘层成为预定结构，由此形成已图案化层间绝缘层；形成氮化物层于所述已图案化层间绝缘层上；同时蚀刻所述氮化物层及所述基板，由此获得位于所述已图案化层间绝缘层侧面上的间隔物及在所述基板中具有预定深度的沟槽；形成导电层于所述沟槽上；以及平坦化所述导电层，由此形成所述栅极。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于在形成所述间隔物及沟槽的步骤中，通过使用毯覆式蚀刻制程来进...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴启淳，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]