MOS栅器件制造方法技术

提供了用于ＭＯＳ栅器件的表面几何结构，它允许通过预定增量使器件的尺寸在ｘ轴和ｙ轴发生改变。实际器件尺寸通过金属和焊盘掩模或接触金属和焊盘掩模来设置或“编程”。这种方法既节省时间又节约费用。示出了一个７×９阵列（１１）的相同贴片（１３）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及MOS栅器件及其制造方法。
技术介绍
用于制造MOS栅器件的表面几何结构得到广泛的发展。这些表面几何结构或“布局”包括交叉梳状结构及重复或“蜂窝”结构，包括以HEXFET功率MOSFET为例的公知六边形几何结构。这些各种各样的表面几何结构已得到发展，以优化诸如导通电阻和强度等器件特性。对于给定的几何结构和电压，器件的导通电阻与有效器件面积成反比。为了采用现有的表面几何结构设计出具有所需导通电阻的新器件，只需计算出现有器件的导通电阻与它的有效面积的乘积。基于这个信息，确定出新器件的有效面积，再加上焊盘和终端的开销，就可制造出具有所需导通电阻的器件。但是，为每一不同的导通电阻值或每一不同的MOS栅器件尺寸都制造一套新掩模，这种传统的方法是很不理想的，因为这会导致产生大量掩模组，用于那些主要在导通电阻和有效面积方面不同的器件。而且，每一器件在出厂前都必须分别进行合格证明。传统器件也不提供一种简易方法，即采用这种方法可移动栅和源焊盘以适应特殊的最终用途。因此，本领域需要一种制造MOS栅器件的方法，仅需一套掩模就能生产出器件，而且可以采用同一套掩模制造出可变尺寸和具有不本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造ＭＯＳ栅器件的方法，包括以下步骤：提供多个不连续贴片，所述多个贴片中的每一个贴片具有至少一个源区和至少一个体区；及将贴片组装成阵列，以便形成ＭＯＳ栅器件。

【技术特征摘要】
US 2002-5-10 10/142,600;US 2002-5-10 10/142,6221.一种制造MOS栅器件的方法，包括以下步骤提供多个不连续贴片，所述多个贴片中的每一个贴片具有至少一个源区和至少一个体区；及将贴片组装成阵列，以便形成MOS栅器件。2.如权利要求1所述的方法，其中，多个贴片基本上相同。3.如权利要求1所述的方法，其中，多个贴片中的每一贴片基本上为矩形。4.如权利要求1所述的方法，其中，多个贴片中的每一贴片基本上为正方形。5.如权利要求1所述的方法，其中，每一贴片都具有多个设于其上面的多个栅接触区。6.如权利要求5所述的方法，其中，每一贴片基本上为矩形，而且其中，每一贴片的每一角都具有设于其上面的栅接触区。7.如权利要求5所述的方法，其中，每一贴片基本上为正方形，而且其中，每一贴片的每一角都具有设于其上面的栅接触区。8.如权利要求1所述的方法，其中，每一贴片包含多个源和体区，而且其中，多个源和体区排列在子阵列中。9.如权利要求1所述的方法，其中，所述阵列还包含栅金属化层。10.如权利要求1所述的方法，其中，所述阵列还包含源和体金属化层。11.如权利要求1所述的方法，其中，所述阵列还包含栅金属化层及源和体金属化层，而且其中，栅金属化层及源和体金属化层彼此电绝缘。12.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个贴片中的至少一些贴片包含其中设有至少一个沟道的外延层，而且其中，所述至少一个沟道中设有部分掺杂多晶硅。13.如权利要求1所述的方法，其中，所述多个贴片中的至少一个贴片包含栅极结构。14.如权利要求13所述的方法，其中，部分删极结构为电浮动。15.一种MOS栅器件，包括不连续贴片的阵列，其中，所述阵列中的每一贴片包含源区、体区及栅接触区；源和体金属化层，它与所述阵列中的至少两个贴片的源和体区电接触；及栅金属化层，它与所述阵列中的至少两个贴片的栅接触区电接触。16.如权利要求15所述的器件，其中，所述阵列中的每一贴片包含四个栅接触区，而且其中，对于不与阵列周边处的贴片相邻的任何贴片，栅金属化层与至少两个栅接触区电接触。17.如权利要求16所述的器件，其中，栅金属化层与阵列中的至少一些贴片的两个栅接触区电接触。18.如权利要求15所述的器件，其中，阵列中的所述多个贴片的每一贴片通过一间隙彼此分隔开，而且其中，源和体金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：理查德A布朗夏尔，
申请(专利权)人：通用半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]