【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种使用溶液处理(solution processing)制备有机电子和光电子器件的方法，并涉及由此获得的衬底和器件。
技术介绍
过去的十年中，对于在电子和光电子器件中使用有机原料的研究已经取得了一定的进展，例如，这样的器件包括如WO 90/13148和US 4539507中所述的有机的电致发光器件，如US 5670791中所述的有机光电器件以及如WO 01/47043中所述的有机晶体管。已经证明有机的半导电和导电聚合物可特别用于有机电子和光电子器件中，很大程度是由于它们的加工性，特别是它们的溶液加工性，溶液加工性能使它们通过使用一套涂覆和印刷技术被形成在器件中。使用这样的技术可能降低成本，容易制造聚合的有机电子和光电子器件，例如显示器和塑料微芯片。近来在有机电子和光电子器件的制备中，喷墨印刷已经作为一种重要的技术出现，在EP 0880303中公开了喷墨印刷的有机的电致发光器件，在上述的WO 01/47043中公开了喷墨印刷的晶体管。使用溶液处理制备有机电子和光电子器件需要10微米级的高等级图形分辨率。在使用溶液处理技术中为获得这样高水平的分辨率...
【技术保护点】
1.用于制备有机电子或光电子器件的方法，其包括在衬底上沉
积一层氟化光刻胶，图形化所述的氟化光刻胶层以形成凹凸图形，
并在所述衬底上从溶液沉积一层有机的半导电或导电材料。
【技术特征摘要】
2002.03.27 GB 0207134.81.用于制备有机电子或光电子器件的方法，其包括在衬底上沉积一层氟化光刻胶，图形化所述的氟化光刻胶层以形成凹凸图形，并在所述衬底上从溶液沉积一层有机的半导电或导电材料。2.如权利要求1所述的方法，其中所述氟化光刻胶包括氟化的聚酰亚胺。3.用于制备有机电子或光电子器件的方法，其包括在衬底上提供凹凸图形形式的氟化聚合物的图形化层，将所述衬底和所述氟化聚合物的图形化层暴露在紫外线和臭氧中，并在所述衬底上从溶液沉积一层有机的半导电或导电材料。4.如权利要求3所述的方法，其中所述氟化的聚合物包括氟化光刻胶。5.如权利要求3所述的方法，其中所述氟化的聚合物的图形化层是通过光刻来图形化的。6.如权利要求3所述的方法，其中所述氟化的聚合物的图形化层是通过印刷来图形化的。7.如权利要求3所述的方法，其中所述氟化的聚合物的图形化层被机械地图形化，优选通过压印来图形化。8.如权利要求1或3所述的方法，其中所述凹凸图形包括台。9.如权利要求1或3所述的方法，其中所述凹凸图形包括阱。10.如权利要求9所述的方法，其中所述阱具有正的壁轮廓。11.如权利要求9或10所述的方法，其中所述氟化光刻胶或氟化的聚合物层的所述凹凸图形包括另外的、层叠的氟化光刻胶或氟化的聚合物层，该层被图形化以包括台。12.如权利要求8或11所述的方法，其中所述台具有负的壁轮廓。13.如权利要求1、2或8至12任一个所述的方法，包括在所述衬底上从溶液沉积一层有机的半导电或导电材料之前，将所述衬底和所述氟化光刻胶的图形化层暴露到氩等离子体、大气等离子体、紫外线和臭氧、氧气等离子体、王水或过氧化物中。14.如权利要求13所述的方法，包括在所述衬底上从溶液沉积一层有机的半导电或导电材料之前，将所述衬底和所述氟化光刻胶的图形化层暴露到紫外线和臭氧中。15.如权利要求3或14所述的方法，其中将所述衬底和所述氟化光刻胶或氟化的聚合物的图形化层暴露到紫外线和臭氧中的所述步骤，包括将所述衬底和所述氟化光刻胶或氟化的聚合物的图形化层暴露到紫外线中，同时氧气与所述衬底和所述氟化光刻胶或氟化的聚合物的表面接触，在存在的紫外线中所述氧气转变成臭氧。16.如权利要求3或14所述的方法，其中所述衬底和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾利克·冈纳，马丁·卡齐奥，
申请(专利权)人：剑桥显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。