具有双栅极结构的沟槽型双扩散金属氧化物半导体晶体管制造技术

提出了一种沟槽型ＤＭＯＳ晶体管单元，它是在第一种导电类型的衬底上形成的。具有第二种导电类型的体区位于衬底上。至少一个沟槽通过体区和衬底延伸。一个绝缘层镶衬沟槽。该绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分。绝缘层的第一部分的层面的厚度比第二部分大。界面的深度位于体区下边界之上。在沟槽里形成一个导电电极，使它覆盖在绝缘层之上。在与沟槽相邻的体区里形成第一种导电类型的源区。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及MOSFET晶体管，主要涉及具有沟槽结构的DMOS晶体管。专利技术的背景DMOS(双扩散的金属氧化物半导体)晶体管是一种MOSFET(金属半导体场效应 管)，它在同一边用两个连续的扩散步骤而形成了晶体管区域。DMOS晶体管的一般应用是 为电源集成电路应用提供高电压、高电流的功率晶体管。当要求低的正向电压降时，DMOS晶 体管提供每个单元区域更高的电流。一个典型的离散DMOS电路包括两个或多个单独的并行制造的DMOS晶体管单元。 该单独的DMOS晶体管单元分享一个共同的漏接触区(衬底)，同时它们的源极都被用金属 短接在一起，它们的栅极被用多晶硅短接在一起。这样，即使离散的DMOS电路是由小的晶 体管矩阵构成的，它的作用就象一个大的晶体管一样。对于一个离散DMOS电路，当晶体管 矩阵被栅极打开时，它希望能够最大化每个单元区域的导电性。当单独的DMOS晶体管单元 的形状是典型的长方形时，它们通常有一个开口的或封闭的单元几何结构。一个特殊类型的DMOS晶体管就是所谓的沟槽型DMOS晶体管，它的沟道是垂直形成的，且栅极在延伸在源极和漏极间的沟槽中形成。具有薄的氧化层并填本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽型ＤＭＯＳ晶体管单元，包括：第一种导电类型的衬底；在所述衬底上的体区，所述体区具有第二种导电类型；通过所述体区和所述衬底延伸的至少一个沟槽；镶衬所述沟槽的绝缘层，所述绝缘层包括沿所述沟槽每个侧面的侧面部分和沿所述沟槽询问部分的底部部分，每个侧面部分具有在界面上相互接触的第一和第二部分，所述第一部分整体的厚度大于所述第二部分整体的厚度，并且所述界面的深度位于所述体区下边界之上；覆盖所述绝缘层的所述沟槽中的导电电极；以及和沟槽相邻的所述体区里的所述第一种导电类型的源区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：石甫渊，苏根政，崔炎曼，
申请(专利权)人：通用半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]