提出了一种沟槽型ＤＭＯＳ晶体管单元，它是在第一种导电类型的衬底上形成的。具有第二种导电类型的体区位于衬底上。至少一个沟槽通过体区和衬底延伸。一个绝缘层镶衬沟槽。该绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分。绝缘层的第一部分的层面的...

提供了用于ＭＯＳ栅器件的表面几何结构，它允许通过预定增量使器件的尺寸在ｘ轴和ｙ轴发生改变。实际器件尺寸通过金属和焊盘掩模或接触金属和焊盘掩模来设置或“编程”。这种方法既节省时间又节约费用。示出了一个７×９阵列（１１）的相同贴片（１３）。

提供一种具有低导通电阻的高电压功率ＭＯＳＦＥＴ，该ＭＯＳＦＥＴ包括第一导电类型的衬底（２）。在衬底（２）上淀积也是第一导电类型的外延层（１）。在外延层（１）中设置第一和第二体区（５，６）并限定其间的漂移区。体区具有第二导电类型。在第一和...

一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ器件，包括：第一导电类型的衬底（２００）；第一导电类型的外延层；其中该外延层具有比衬底更低的多数载流子浓度；延伸到外延区中的沟槽；沟槽内的绝缘导电区（２１１）；在沟槽底部和衬底之间的外延层内形成的第一导电类型的掺杂区...

一种具有到位于上表面上的漏极触点的低电阻路径的沟槽ＤＭＯＳ晶体管结构及其制造方法。该晶体管结构包括：（１）第一导电型半导体材料的第一区域；（２）形成在第一区域内的栅极沟槽；（３）栅极沟槽内的栅极介电层；（４）与栅极介电材料层相邻的栅极沟...

选用已知导电类型的内有平行于晶片主基面的平面ｐ－ｎ结的半导体晶片，晶片的一表面上覆盖一层氮化硅掩模层。穿过掩模锯出多个相交的槽，形成多个具有斜壁的台面，每个台面中都有一部分平面ｐ－ｎ结，其边缘与其侧壁相交且露在侧壁上。槽壁和裸露的ｐ－ｎ...

利用三个叠置在一起的引线框架的工件成批制造塑封的两相桥式整流器器件，所述器件具有四个外部的引线端子，所述引线框架大体上是平的，其中，在工件上的多个器件位置上的每一个上，设置半导体二极管芯片的双芯片叠层。各个叠层的每个芯片被夹在上层和中层...

本发明公开了一种含有一栅极沟槽（１８）的半导体器件。

公开了一种功率沟道ＭＯＳ器件的端子结构。依据所准备的是何种半导体衬底，ＭＯＳ器件可为肖特基二极管、ＩＧＢＴ或ＤＭＯＳ。该端子结构包括：半导体衬底，其中形成有沟道；在沟道的侧壁形成作为间隔物的ＭＯＳ栅；在沟道中形成的端子结构氧化层以覆盖间...

公开了一种同时制造沟道ＭＯＳ器件和端子结构的方法。根据所制备的半导体衬底，ＭＯＳ器件可以是肖特基二极管、ＩＧＢＴ或ＤＭＯＳ。包括步骤：形成多个用于在有源区内形成沟道ＭＯＳ器件的第一沟道，以及用于形成端子结构的第二沟道。进行热氧化工艺以在...

提供一种功率ＭＯＳＦＥＴ，包含第一导电类型的衬底。也是第一导电类型的外延层淀积在衬底上。第一体区和第二体区位于外延层中，在其间限定漂移区。体区具有第二导电类型。第一导电类型的第一源区和第二源区分别位于第一体区和第二体区中。在外延层的漂移...

一种形成沟道型ＤＭＯＳ晶体管的方法，所形成的沟道型ＤＭＯＳ晶体管具有减轻的击穿现象。该方法开始先提供一第一导电类型的衬底。在衬底上形成第二导电类型的体区。形成至少限定一个沟道的掩模层。接下来，形成沟道和沿着沟道的绝缘层。然后在沟道中形成...

提供一种凹槽ＤＭＯＳ晶体管结构，其包括至少三个在第一导电型的衬底上形成的独立凹槽ＤＭＯＳ晶体管单元。多个独立ＤＭＯＳ晶体管单元被分为外围晶体管单元和内部晶体管单元。每个独立晶体管单元包含位于衬底上的第二导电型体区。至少有一条凹槽延伸穿过...

提供了一种凹槽栅ＤＭＯＳ（１）和相应制造方法，其中栅极材料包括硅化物或耐熔金属层（３９）。ＢＰＳＧ层可以形成于栅极结构之上。而且，栅极的一部分（６１）可以置于源区（６３）之上。

本发明提供一种制造一个或多个沟槽ＤＭＯＳ晶体管的方法。在这种方法中，提供与一个或多个沟槽（２０７）毗邻的一个或多个本体区（２０４）。所述的一个或多个沟槽被衬以第一绝缘层（２０６）。第一绝缘层的一部分部分至少沿着沟槽的上侧壁被除去，从而将...

提出了一种沟槽型ＤＭＯＳ晶体管单元，它是在第一种导电类型的衬底上形成的。具有第二种导电类型的体区位于衬底上。至少一个沟槽通过体区和衬底延伸。一个绝缘层镶衬沟槽。该绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分。绝缘层的第一部分的层面的...

一种制造高电压ＭＯＳ场效应管的方法，其中提供了一个第一导电型的衬底（２），在该衬底上沉积一个也是第一导电型的外延层（１），在该外延层的漂移区中形成多个沟槽（４４，４６），该沟槽由包括第二导电型掺杂物的材料填充，该沟槽从第一和第二主体区（...

说明了一种沟槽ＭＯＳＦＥＴ器件及其制作方法。该沟槽ＭＯＳＦＥＴ包括：（ａ）第一导电类型的衬底；（ｂ）衬底上的第一导电类型的外延层，该外延层的多数载流子浓度低于衬底；（ｃ）在外延层中的多个沟槽；（ｄ）第一绝缘层，例如氧化物层，衬于沟槽中；...

提供一种ＭＯＳ场效应管，包括第一导电型衬底（２）。同样沉积在衬底上的第一导电型的外延层（１）。第一和第二主体区域（５ａ，６ａ，５ｂ，６ｂ）位于外延层内并且确定二者之间的漂移区域。主体区域具有第二导电型。第一导电型的第一和第二源极区（７，...

本发明提出一种用于制造沟槽ＤＭＯＳ的方法，提高了至少具有沉积在器件的激活区的第一沟槽和沉积在器件端部区的第二沟槽上的氧化物层的击穿电压。根据本方法，利用掩蔽技术加厚了在第二沟槽的顶部拐角附近的氧化物层，由此补偿了在制造过程中由于二维氧化...