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提出了一种沟槽型ＤＭＯＳ晶体管单元，它是在第一种导电类型的衬底上形成的。具有第二种导电类型的体区位于衬底上。至少一个沟槽通过体区和衬底延伸。一个绝缘层镶衬沟槽。该绝缘层包括在一个界面上相互接触的第一和第二个部分。绝缘层的第一部分的层面的厚度...
该专利属于通用半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过通用半导体公司授权不得商用。

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