形成包括不连续存储元件的电子器件的工艺制造技术

一种形成电子器件的工艺可以包括：在衬底（１２）中形成第一沟槽（２２，２３），其中沟槽包括壁和底部并从衬底主表面延伸。该工艺还可以包括形成不连续存储元件（６４）以及在沟槽中形成第一栅电极（９２）以使得不连续存储元件的第一不连续存储元件位于第一栅电极和沟槽的壁之间。该工艺可以进一步包括移除位于衬底主表面上的不连续存储元件。该工艺还可以包括形成位于第一栅电极和衬底主表面上的第二栅电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种工艺，且特别涉及一种用于形成包括不连续存储 元件的电子器件的工艺。
技术介绍
浮置栅极非易失性存储器(FG NVM)是常规的，且通常用 在很多应用中。用于FG NVM的三种最常用类型的编程机理包括 Fowler-Nordeim隧穿、常规热载流子注入以及源侧注入。 Fowler-Nordeim隧穿有效但很慢。可通过用进入到浮置栅极或者一个 或多个其他存储元件的载流子数量除以进入到具有该浮置栅极或者其 它存储元件的载流子数量来测量效率。后一数量可以通过编程电流和 编程时间的乘积来近似。热载流子注入可以包括常规热载流子注入和源极侧注入。两种都 涉及到生成热载流子，其中一些注入到浮置栅极或其他存储元件。在 使用浮置栅极时的常规热载流子注入中，沿着存储单元的沟道区生成 电场。在沟道区中，在漏区附近电场最高。电场加速了在沟道区中流 动的载流子，从而，在沟道区中，载流子在漏区附近运动最快。一小 部分载流子与沟道区中的硅或者一个或多个其他原子碰撞，将高能载 流子的方向改变至浮置栅极或其他电荷存储元件。通过控制栅电极所 生成的电场有助于将这小部分热载流子中的一些注入到浮置栅极中。 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成电子器件的工艺，所述工艺包括：在衬底中形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽包括壁和底部并从所述衬底的主表面延伸；在所述衬底的主表面上方和所述第一沟槽中形成不连续存储元件；在形成所述不连续存储元件之后，在所述第一沟槽中形成第一栅电极，其中，所述不连续存储元件的第一不连续存储元件位于所述第一栅电极和所述第一沟槽的壁之间；移除位于所述衬底主表面上的不连续存储元件，其中，不连续存储元件的第一部分保留在所述第一沟槽中；在移除所述不连续存储元件之后，形成第二栅电极，其中所述第二栅电极位于所述第一栅电极和所述衬底的主表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-7-25 11/188,9391.一种形成电子器件的工艺，所述工艺包括在衬底中形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽包括壁和底部并从所述衬底的主表面延伸；在所述衬底的主表面上方和所述第一沟槽中形成不连续存储元件；在形成所述不连续存储元件之后，在所述第一沟槽中形成第一栅电极，其中，所述不连续存储元件的第一不连续存储元件位于所述第一栅电极和所述第一沟槽的壁之间；移除位于所述衬底主表面上的不连续存储元件，其中，不连续存储元件的第一部分保留在所述第一沟槽中；在移除所述不连续存储元件之后，形成第二栅电极，其中所述第二栅电极位于所述第一栅电极和所述衬底的主表面上。2. 如权利要求l所述的工艺，其中形成所述第一栅电极包括形成所述第一栅电极以使得所述第一栅 电极的上表面位于所述衬底主表面下方；以及形成所述第二栅电极包括形成所述第二栅电极以使得一部分第二 栅电极延伸到所述第一沟槽中。3. 如权利要求l所述的工艺，进一步包括在第二沟槽中形成第三 栅电极，其中形成所述第一沟槽进一步包括形成与所述第一沟槽相间隔的第二 沟槽，其中所述第二沟槽包括壁和底部并从所述衬底的主表面延伸；形成所述不连续存储元件进一步包括在所述第二沟槽中形成不连 续存储元件；形成所述第三栅电极包括形成所述第三栅电极以使得所述不连续 存储元件的第二不连续存储元件位于所述第三栅电极和所述第二沟槽 的壁之间；以及移除所述不连续存储元件包括移除位于所述衬底主表面上的不连 续存储元件，其中不连续存储元件的第二部分保留在所述第二沟槽中。4. 如权利要求3所述的工艺，进一步包括分别形成沿着所述第一 和第二沟槽底部的第一掺杂区和第二掺杂区。5. 如权利要求4所述的工艺，进一步包括形成在所述第一和第二 沟槽之间沿着所述衬底的主表面的第三掺杂区。6. 如权利要求5所述的工艺，其中在形成所述第二栅电极之前进 行所述第三掺杂区的形成。7. 如权利要求5所述的工艺，其中在形成所述第二栅电极之后进 行所述第三掺杂区的形成。8. 如权利要求3所述的工艺，其中移除所述不连续存储元件包括 移除所述不连续存储元件以使得所述第一不连续存储元件是部分第一电荷存储区并较所述第一掺 杂区更接近所述第一栅电极的上表面；以及所述第二不连续存储元件是部分第二电荷存储区且较所述第二掺杂区更接近所述第三栅电极的上表面，其中，所述第二电荷存储区与 所述第一电荷存储区间隔开。9. 如权利要求3所述的工艺，其中形成所述第二栅电极包括 形成所述第二栅电极以使得所述第二栅电极位于所述第一和第三栅电极上；以及 从顶视图来看，所述第一和第二沟槽的长度基本上垂直于所述第 二栅电极的长度。10. 如权利要求3所述的工艺，进一步包括形成第四栅电极，其中形成所述第二栅电极包括形成所述第二栅电极以使得所述第二栅 电极位于所述第一栅电极上；形成所述第四栅电极包括形成所述第四栅电极以使得所述第四栅 电极位于所述第三栅电极上；以及从顶视图来看所述第一沟槽的长度基本上平行于所述第二栅电极的长度；以及 所述第二沟槽的长度基本上平行于所述第四栅电极的长度。11. 如权利要求l所述的工艺，进一步包括 形成沿着所述第一沟槽的壁和底部的第一介电层； 在形成所述不连续存储元件之后形成第二介电层；以及 在形成所述第一栅电极之后形成第三介电层。12. 如权利要求ll所述的工艺，其中形成第三介电层和移除位于 衬底主表面上的不连续存储元件包括氧化第一栅电极的暴露部分；和位于第一栅电极和衬底主表面之间的高度处的不连续存储元件。13. 如权利要求l所述的工艺，其中形成所述第一栅电极包括 在形成所述不连续存储元件之后形成导电层； 抛光所述导电层以移除位于所述衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：高里尚卡尔L真达洛雷，保罗A英格索尔，克雷格T斯维夫特，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]