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一种形成电子器件的工艺可以包括：在衬底（１２）中形成第一沟槽（２２，２３），其中沟槽包括壁和底部并从衬底主表面延伸。该工艺还可以包括形成不连续存储元件（６４）以及在沟槽中形成第一栅电极（９２）以使得不连续存储元件的第一不连续存储元件位于第一...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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