一种高深宽比TSV种子层制作方法技术

本发明专利技术涉及一种微电子加工工艺中的高深宽比TSV种子层制作方法，其针对的问题是常规的PVD方式生成的金属种子层在硅通孔内台阶覆盖率低，造成种子层不连续，甚至会发生断裂，影响后续电镀工艺效果。本发明专利技术中，在利用PVD完成种子层淀积后，在真空或超低压环境中加热，使铜种子层流动性增加，同时辅以等离子体轰击，促进铜种子层向TSV中下部流动。同时由于等离子体的轰击作用，TSV底部的铜被轰击后会反溅到种子层最薄弱的TSV中下部侧壁，从而保证铜种子层在TSV孔内的连续性。经过回流和等离子处理的铜种子层在TSV内部的连续性得到改善，因此有利于后续电镀工艺的进行，保证TSV的填充效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高深宽比TSV种子层制作方法，其特征在于包括以下步骤：?在晶圆衬底上进行TSV制作和绝缘层淀积；?利用PVD工艺在衬底表面和TSV孔内淀积铜种子层；（3）回流过程，即在真空或低气压环境下加热至200?800℃使铜种子层流动性增加，晶圆正面朝上放置，使铜种子层由TSV口部向下流动，消除TSV底部的侧壁处的铜种子层中断，使得铜种子层沿TSV侧壁和底部均匀分布。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛恺，于大全，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：