【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种减小器件沟槽关键尺寸的方法，应用于铜互联沟槽制备工艺中，其特征在于，包括以下步骤：提供一具有金属硬质掩膜和介质层的半导体结构，所述金属硬质掩膜覆盖所述介质层的表面；刻蚀至介质层形成第一沟槽；沉积聚合物层覆盖剩余金属硬质掩膜的表面并填充所述第一沟槽；回蚀所述聚合物层，于所述第一沟槽侧壁中形成侧墙结构；以剩余金属硬质掩膜和所述侧墙结构为掩膜刻蚀所述介质层，于所述介质层中形成第二沟槽结构；其中，所述侧墙结构覆盖部分所述第一沟槽的底部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩冬，曾林华，任昱，吕煜坤，张旭昇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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