【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关于半导体衬底处理，尤其是关于一种用于检测衬底在转送室内的位置/存在的传感器，衬底处理室可耦合至该转送室。
技术介绍
图1为用来实施半导体制程于衬底上，比如硅晶片或玻璃基板上，的传统衬底处理机具11的一示意平面图。正如熟悉此领域的技术人员所熟知的，硅晶片可被用来制造半导体组件，如微处理器，内存组件，等等。玻璃基板可被处理用以制造使用在计算机监视器、电视机或类似的平板显示器。处理机具11包括一位于中央的转送室13，其中处理室15被耦合至该转送室。在每一处理室15中，一半导体制程，例如薄膜沉积，氧化或氮化，蚀刻，或热处理或石版印刷处理，可在该室中实施。将在该处理机具11中被处理的衬底经由至少一耦合至该转送室13的负载锁定室17而被导入该处理机具11中。一衬底搬运机器人19被安装在该转送室13中用以将衬底转送于负载锁定室17与处理室15之间。在一处理机具的转送室中配置用来检测是否有衬底存在以及衬底是否被适当地放置以加载耦合至该转送室的处理室、负载锁定室或其它室的至少一个中的传感器是公知的。在一被用来处理矩形玻璃基板且有七个室(如，六个处理室与一如图1所示...
【技术保护点】
一种用来检测衬底的设备，其至少包含：一转送室，其被设计来与多个其它的室相耦合，其它的室包括至少一处理室及至少一负载锁定室；一第一组传感器，其位于所述转送室内用以显示一衬底被放置成可载入到所述其它室中的一第一室中；及一 第二组传感器，其被设置在所述转送室中用以显示一衬底被放置成可载入到所述其它室中的一第二室中；其中：所述其它室的第二室并不与所述其它室的第一室相邻；及第一组传感器中的至少一传感器也属于第二组传感器。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2002-6-21 60/390,7641.一种用来检测衬底的设备，其至少包含一转送室，其被设计来与多个其它的室相耦合，其它的室包括至少一处理室及至少一负载锁定室；一第一组传感器，其位于所述转送室内用以显示一衬底被放置成可载入到所述其它室中的一第一室中；及一第二组传感器，其被设置在所述转送室中用以显示一衬底被放置成可载入到所述其它室中的一第二室中；其中所述其它室的第二室并不与所述其它室的第一室相邻；及第一组传感器中的至少一传感器也属于第二组传感器。2.如权利要求1所述的设备，其中每一组传感器都包含四个传感器，每一传感器都被设计来检测一矩形衬底的一个角落。3.如权利要求2所述的设备，其中该矩形衬底为一玻璃基板。4.如权利要求1项所述的设备，其中该转送室被设计成可与七个其它室相耦合。5.如权利要求4所述的设备，其中一总数为十四个的传感器被设置在该转送室内。6.如权利要求1所述的设备，其中所述其它室的第一室与所述其它室的第二室在该转送室的圆周的两个方向上都被隔开至少两个所述其它室的室。7.如权利要求1所述的设备，其中不多于一个第一组传感器的传感器电属于该第二组传感器。8.一种用来检测衬底的设备，其至少包含一转送室，其被设计来与多个其它的室相耦合，及至少一负载锁定室；一第一圈传感器，其被设置在该转送室内的以该转送室的中心为圆心的一第一半径圆的位置上；及一第二圈传感器，其被设置在该转送室内的以该转送室的中心为圆心的一第二半径圆的位置上；其中，所述传感器被设置及第一与第二半径被选择，使得对于每一个耦合到该转送室的处理室与负载锁定室而言，可在耦合至该转送室的每一处理室及负载锁定室无需使用到四个分离的传感器的情况下，让一四个边的衬底的位置能够在耦合至该转送室的每一处理室与负载锁定室的一开口之前被检测到。9.如权利要求8所述的设备，其中在该第一圈传感器中的传感器总数等于在该第二圈传感器中的传感器总数。10.如权利要求9所述的设备，其中该第一圈传感器由七个传感器构成且该第二圈传感器也由七个传感器构成。11.一种检测衬底的方法，其至少包含将一第一组传感器放在一转送室内用以显示一衬底被放置成可载入到一耦合至该转送室的第一室中；及将一第二组传感器放在该转送室内用以显示一衬底被放置成可载入到一耦合至该转送室的第二室中；其中该第一室并没有与该第二室相邻；及该第一组传感器中的至少一传感器属于该第二组传感器。12.如权利要求11所述的方法，其中每一组传感器都包含四个传感器，每一传感器都被设计来检测一矩形衬底的一个角落。13.如权利要求11所述的方法，其中不多于一个第一组传感器的传感器也属于该第二组传感器。14.一种检测衬底的方法，其至少包含将一第一圈传感器设置在该转送室内的以该转送室的中心为圆心的一第一半径圆的位置上...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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