【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及半导体制造工艺,更具体地,涉及一种将该工艺有效地应用于基板边缘的方法和系统。
技术介绍
在半导体芯片制造工艺中,公知地,需要对执行了制造工序(该制造工序在晶片的表面上留下了不期望的残留物)的晶片进行清洗和干燥。这种制造工序的示例包括等离子体蚀刻(例如,钨回蚀刻(WEB))和化学机械抛光(CMP)。在CMP中,将晶片设置在夹具中,该夹具使晶片的表面紧靠在一抛光表面上。该抛光表面使用由化学和研磨剂材料组成的浆料来进行抛光。不幸的是,该CMP工艺容易在晶片表面上留下浆料颗粒和残留物的淤积物。如果在晶片上残留有不期望的残留材料和颗粒,则这些残留材料和颗粒可能会在晶片表面上导致尤其是诸如划痕的缺陷或者在金属化特性之间导致不良的相互作用。在某些情况下,这些缺陷可能导致晶片上的器件无法正常工作。为了避免因废弃具有无法正常工作的器件的晶片而造成的不合理成本,必须在残留不期望的残留物的制造工序之后,对晶片进行充分而有效的清洗。在对晶片进行湿法清洗之后,必须对晶片进行有效的干燥,以防止水或清洗液残留物残留在晶片上。如果允许晶片表面上的清洗液蒸发(如在形成小液滴 ...
【技术保护点】
一种用于将弯液面从第一表面移动到第二表面的方法,包括:在接近头和第一表面之间形成弯液面;以及将所述弯液面从所述第一表面移动到相邻的第二表面上,该第二表面与所述第一表面平行。
【技术特征摘要】
US 2002-9-30 10/261,839;US 2002-12-24 10/330,843;U1.一种用于将弯液面从第一表面移动到第二表面的方法,包括在接近头和第一表面之间形成弯液面;以及将所述弯液面从所述第一表面移动到相邻的第二表面上,该第二表面与所述第一表面平行。2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述弯液面从所述第一表面移动到所述相邻的第二表面上包括移动所述弯液面,以使所述弯液面的第一部分支撑在所述接近头的第一部分与所述第一表面之间,并且所述弯液面的第二部分支撑在所述接近头的第二部分与所述第二表面之间。3.根据权利要求1所述的方法,还包括将所述弯液面从所述第二表面移动到所述第一表面上。4.一种用于将弯液面从第一表面移动到第二表面上的系统,其包括第一表面;第二表面,其基本上与所述第一表面共面;以及可移动头,其能够沿基本上垂直于所述第一表面和所述第二表面的第一方向移动,并且能够沿基本上平行于所述第一表面和所述第二表面的第二方向移动。5.根据权利要求4所述的系统,其中所述边缘平台基本上包围所述基板。6.一种用于优化弯液面的表面张力梯度的方法,包括选择用于第一表面的第一材料;选择用于第二表面的第二材料,所述第一材料具有与所述第二材料不同的亲水特性;以及在所述第一表面和所述第二表面之间形成弯液面。7.一种具有经优化的表面张力梯度的系统,其包括包含第一材料的第一表面;包含第二材料的第二表面,所述第一材料具有与所述第二材料不同的亲水特性,并且所述第一表面基本平行于所述第二表面,并接近所述第二表面。8.一种用于处理基板的边缘的方法,包括在接近头的凹面部分的内部形成弯液面,该凹面部分能够容纳所述基板的边缘的至少一部分。9.根据权利要求8所述的方法,还包括通过边缘辊支撑所述基板,该边缘辊包括一接近头;以及将所述弯液面移动到所述基板的边缘上...
【专利技术属性】
技术研发人员:卡尔A伍兹,詹姆士P加西亚,约翰MD拉芮奥,迈克尔瑞夫肯,佛瑞德C瑞德克,
申请(专利权)人:拉姆研究公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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