【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法，特别涉及。
技术介绍
在半导体器件制造过程中要形成各种多孔膜，例如多孔阳极氧化膜等(参见中国专利授权公告No，CN-1038885C)。这些多孔膜在用光刻腐蚀方法构图后，在所构成的图形的侧壁上的孔会露出，这些露出的孔在随后进行的工艺中容易吸潮和吸附后续工艺中用的化学物质。从而对半导体器件的性能造成负面影响。
技术实现思路
为了克服半导体器件中的多孔膜在构图后在构图的侧壁上的露出孔在随后的工艺过程中吸潮和吸附化学物质而对半导体器件的性能造成负面影响的缺陷，提出本专利技术。本专利技术的目的是，提供一种，在已构图的多孔膜的侧壁上淀积一层薄的硅化物膜，将在多孔膜构图中形成的开口的孔封闭，由此防止开口的孔在随后的工艺中吸潮和吸附化学物质。按本专利技术在多孔膜经双镶嵌构图和腐蚀后，在有连出孔的侧壁的上用等离子体处理方法或物理汽相淀积方法形成一层薄的硅化物。由此，封闭露出的孔。等离子体处理方法中处理室内用的源气体可以包括硅烷(SiH4)，或氮化硅，或者，OMCAT(八甲基环四硅氧烷)，TOMCAT(四甲基环四硅氧烷)。用物理汽相淀积介质膜的方法包括溅射淀积...
【技术保护点】
多孔膜的处理方法，其特征是，包括以下步骤：在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体处理，淀积膜层厚度为５０＊（埃）到１０００＊的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为８ｎｍ到２５ｎｍ孔，处理的条件是：等离子体处理的条件是： 在反应室内的气体为，ＳｉＨ↓［４］／Ｎ↓［２］Ｏ／Ｎ↓［２］／Ｈｅ／Ｏ↓［２］／Ａｒ，衬底的加热温度为２００℃到４００℃所加的射频（ＲＦ）功率为５０Ｗ到２００Ｗ，形成膜层厚度为５０＊（埃）到１０００＊的硅化物 膜，随后，已形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽...
【技术特征摘要】
1.多孔膜的处理方法，其特征是，包括以下步骤在已进行双镶嵌构图和腐蚀后的多孔膜上进行等离子体处理，淀积膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜以封闭露出的其直径尺寸为8nm到25nm孔，处理的条件是等离子体处理的条件是在反应室内的气体为，SiH4/N2O/N2/He/O2/Ar，衬底的加热温度为200℃到400℃所加的射频(RF)功率为50W到200W，形成膜层厚度为50(埃)到1000的硅化物膜，随后，已形成的硅化物膜上，顺序形成构成互连线的钽(Ta)/氮化钽(TaN)和铜(Cu)膜。2.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，在反应室内的气体为，SiN4/N2O/N2/He/O2/Ar。3.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，在反应室内的反应气体为OMCAT(八甲基环四硅氧烷)TOMCAT(四甲基环四硅氧烷)/N2O/N2/He/O2/Ar。4.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，在已进行双镶嵌构图和腐蚀后用湿腐蚀进行清洁处理，那么用等离子体处理淀积硅化物膜以封闭露出孔的处理在湿腐蚀进行清洁处理后进行。5.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，在已进行双镶嵌构图和腐蚀后用干腐蚀进行清洁处理，那么用等离子体处理淀积硅化物膜以封闭露出孔的处理在干腐蚀进行清洁处理之前进行。6.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露出孔的硅化物膜是二氧化硅膜(SiO2)。7.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成的封闭露出孔的硅化物膜是二氧化硅膜SiON膜。8.按权利要求1的多孔膜的处理方法，其特征是，所形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪钉崇，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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