双层布线双极型器件制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种双层布线双极型器件制造工艺，其中进行基区推进时温度为９５０℃～１０００℃，基区推进的时间为１００分钟；进行发射区推进时温度为９５０℃～１０００℃，发射区推进的时间为３０～６０分钟；采用大剂量注入的砷（Ａｓ）离子作为发射区，注入的剂量不低于Ｅ↑［１５］，注入离子的能量为２０～８０ＫｅＶ。本发明专利技术的制造工艺能制造的器件的最小开孔尺寸为１．５×１．５μｍ，这样大大缩小了芯片尺寸。且其基区结深为０．７μｍ，发射区结深为０．４μｍ，这样可制成的高频器件，用于高频场合。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及双极型器件的制造工艺，尤其涉及一种双层布线双极型器件的制造工艺。
技术介绍
现有的双极型Bipolar制造工艺，无论是双层布线的还是单层布线的，其最小孔尺寸一般为3×4μm，结深在2μm左右。用它制成的集成电路不仅芯片面积大，且只能应用在低频场合。随着集成电路的发展，客户经常需要一种低压、超高频且芯片面积很小的高性能集成电路。于是就需要一种具有较小直径的孔，并且结深较浅的双极型器件的制造工艺，是其能适用于高频、低压的场合。传统的的双极型器件的制造工艺包括(以制造双层布线为例)制造衬底→在衬底上制造N阱→在衬底上制造P阱→形成外延→隔离注入→深磷注入并推进→基区推进→浓硼注入并推进→发射区推进→第一层布线(开孔→铝布线)→第二层布线(开孔→铝布线)→形成保护层。由于基区和发射区的深度直接决定了该器件的频率和电压，因此如果希望得到低压、高频的双极型器件，如何控制基区推进和发射区推进这两个工艺步骤是很关键的，另外，开孔步骤中采用何种工艺直接决定了开孔的大小。因此，针对上述工艺步骤的改进是获得高性能器件的关键。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种改进的改进的双层布线双极型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进的双层布线双极型器件制造工艺，具有常规的双层布线双极型制造工艺步骤，其特征在于，该工艺步骤中：进行基区推进时温度为９５０℃～１０００℃，基区推进的时间为１００分钟；进行发射区推进时温度为９５０℃～１０００℃，发射区推 进的时间为３０～６０分钟；采用大剂量注入的砷（Ａｓ）离子作为发射区，注入的剂量不低于Ｅ↑［１５］，注入离子的能量为２０～８０ＫｅＶ。

【技术特征摘要】
1.一种改进的双层布线双极型器件制造工艺，具有常规的双层布线双极型制造工艺步骤，其特征在于，该工艺步骤中进行基区推进时温度为950℃～1000℃，基区推进的时间为100分钟；进行发射区推进时温度为950C～1000C，发射区推进的时间为30～60分钟；采用大剂量注入的砷(As)离子作为发射区，注入的剂量不低于E15，注入离子的能量为20～80KeV。2.如权利要求1所述的制造工艺，其特征在于，在开孔的工艺步骤中，采用干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的工艺。3.如权利要求2所述的制造工艺，其特征在于，在外延...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹佳文，陈惠明，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]