【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别是涉及一种膜层的形成方法、半导体结构的制备方法及成膜设备。
技术介绍
1、在实际生产中，成膜设备（譬如，cvd成膜设备）的单次工艺时间有一定要求，单次成膜时间如果过长，会导致腔壁累积膜厚变厚，产生异常颗粒和异常电荷的可能性会大大增加。一般允许的单次成膜厚度在15000埃以内，当工艺需求在3μm以上时，则需要分多步成膜几乎是必须的操作。
2、采用多次成膜时，即使采用同样的成膜程序，所制备的膜层的膜质也会存在差异，会存在分层现象。由于湿法刻蚀各向同性的特性，在采用湿法刻蚀工艺对多次成膜而形成的膜层进行湿法刻蚀时，各方向的刻蚀速率不一，对多次成膜的膜层刻蚀后，在相邻膜层的连接处都会产生刻蚀速率不均的现象，进而导致了刻蚀形貌异常，刻蚀孔或刻蚀槽的形貌往往无法得到保障。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种膜层的形成方法、半导体结构的制备方法及成膜设备，膜层的形成方法具有可以避免形成的相邻膜层之间存在分层现象，改善了后续对膜层进行...
【技术保护点】
1.一种膜层的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的膜层的形成方法，其特征在于，所述将衬底置于工艺腔室内进行多次成膜，以于所述衬底的表面形成沿垂直于所述衬底表面的方向依次叠置的多层膜层；每次成膜后，均将成膜后的所述衬底自所述工艺腔室传送至所述冷却腔室，并对成膜后的所述工艺腔室进行清洗，且在清洗完成后，将所述衬底自所述冷却腔室传送至清洗后的所述工艺腔室进行下一次成膜，包括：
3.根据权利要求1所述的膜层的形成方法，其特征在于，每次成膜形成的所述膜层的厚度均小于或等于15000埃。
4.根据权利要求1所述的膜层的形成方法...
【技术特征摘要】
1.一种膜层的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的膜层的形成方法，其特征在于，所述将衬底置于工艺腔室内进行多次成膜，以于所述衬底的表面形成沿垂直于所述衬底表面的方向依次叠置的多层膜层；每次成膜后，均将成膜后的所述衬底自所述工艺腔室传送至所述冷却腔室，并对成膜后的所述工艺腔室进行清洗，且在清洗完成后，将所述衬底自所述冷却腔室传送至清洗后的所述工艺腔室进行下一次成膜，包括：
3.根据权利要求1所述的膜层的形成方法，其特征在于，每次成膜形成的所述膜层的厚度均小于或等于15000埃。
4.根据权利要求1所述的膜层的形成方法，其特征在于，所述成膜设备中，所述工艺腔室的数量为多个。
5.根据权利要求1至...
【专利技术属性】
技术研发人员：陆金，沈光临，左月，杨凯娜，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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