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本发明涉及一种膜层的形成方法、半导体结构的制备方法及成膜设备。膜层的形成方法包括：提供成膜设备，成膜设备包括至少一个工艺腔室及冷却腔室；至少冷却腔室内的温度条件与工艺腔室内进行成膜工艺时的温度条件相同；将衬底置于工艺腔室内进行多次成膜；每次...
该专利属于上海先进半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造有限公司授权不得商用。

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