一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法技术

技术编号:41327259 阅读:34 留言:0更新日期:2024-05-13 15:04
本发明专利技术公开了一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,属于及光伏电池关键原件生产技术领域,具体为,步骤1.提供一基底,进行表面处理和清洗;步骤2.在特定温度和功率条件下,进行磷掺杂非晶硅薄膜的沉积;步骤3.通过精确控制磷掺杂浓度,实现对折射率和电导率的调控;步骤4.对制备的非晶硅薄膜进行后处理,优化其光电性能。本发明专利技术涉及到的方法通过精确控制磷掺杂浓度,实现对非晶硅薄膜折射率和电导率的调控,优化了光电性能,简化了制备流程,提高了制备方法的可操作性和重复性,对非晶硅形貌影响小,保持了非晶硅薄膜的粗糙度在可接受范围内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池关键原件生产,确切地说涉及一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法


技术介绍

1、目前,光伏行业的p型、n型电池技术同时并存,展现出不同的特点和优势。2021年以来,n型电池发展迅猛,借其高转换效率登上舞台,开始了电池技术迭代的变革,逐渐为人们所熟知并接受。

2、topcon(tunneloxidepassivatedcontact)——氧化层钝化接触。正面与常规n型太阳能电池或n-pert太阳能电池没有本质区别,电池核心技术是背面钝化接触。电池背面由一层超薄氧化硅(1~2nm)与本征的多晶非晶混合硅薄膜或掺杂的非晶硅薄膜,二者共同形成钝化接触结构。本征多晶硅通过磷扩和高温推进激活,掺杂非晶硅通过退火激活,si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化,由微晶非晶混合相转变为多晶。在850℃的退火温度下退火,ivoc>710mv,j0在9-13fa/cm2,显示了钝化接触结构优异的钝化性能。

3、该结构可以阻挡少子空穴复合,提升电池开路电压及短路电流。超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:步骤包括:

2.根据权利要求1所述一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:所述基底选择:首先,需要选择一个合适的基底,这个基底是硅片;然后,对基底进行清洗和表面处理。

3.根据权利要求1所述一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:所述薄膜的沉积:在准备好的基底上,采用特定的沉积技术,如化学气相沉积、物理气相沉积等,进行非晶硅薄膜的沉积。

4.根据权利要求1所述一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:所述磷掺杂:在薄膜沉积的...

【技术特征摘要】

1.一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:步骤包括:

2.根据权利要求1所述一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:所述基底选择:首先,需要选择一个合适的基底,这个基底是硅片;然后,对基底进行清洗和表面处理。

3.根据权利要求1所述一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:所述薄膜的沉积:在准备好的基底上,采用特定的沉积技术,如化学气相沉积、物理气相沉积等,进行非晶硅薄膜的沉积。

4.根据权利要求1所述一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电导率的方法,其特征在于:所述磷掺杂:在薄膜沉积的过程中,引入磷元素进行掺杂;磷元素的掺杂浓度可以通过精确控制沉积条件来调节。

5.根据权利要求1所述一种通过磷掺杂调控非晶硅薄膜折射率及电...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐丹张剑
申请(专利权)人:宜宾英发德耀科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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