【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏电池关键原件生产，确切地说涉及一种topcon太阳能电池的lpcvd工艺。
技术介绍
1、目前，光伏行业的p型、n型电池技术同时并存，展现出不同的特点和优势。2021年以来，n型电池发展迅猛，借其高转换效率登上舞台，开始了电池技术迭代的变革，逐渐为人们所熟知并接受。
2、topcon电池即隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，是在2013年提出的一种n型硅片电池技术，旨在通过解决电池载流子选择钝化接触问题来提高太阳能电池效率。topcon电池正面与常规n型太阳能电池结构相同，主要区别在电池背面制备了一层隧穿氧化层，隧穿氧化层只是一层超薄二氧化硅层，制备掺杂多晶硅有两种方式：本征&原位，本征方法为先沉积一层本征硅，然后进行磷扩散掺杂；原位方法为沉积硅时掺入磷，然后通过退火结晶化，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低了载流子表面复合和金属接触复合。
3、topcon(tunneloxidepassivatedcontact)——氧化层钝化接触。正面与常规n型太阳能电池或n-pert太阳能电池没有本质区别，电池核心技术是背面钝化接触。电池背面由一层超薄氧化硅(1～2nm)与一层磷扩散的微晶非晶混合si薄膜组成，二者共同形成钝化接触结构。钝化性能通过退火过程进行激活，si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化，由微晶非晶混合相转变为多晶。在850℃的退火温度下退火，ivoc>710mv,j0在9-13fa/cm2，显示了钝化接触结构优异的钝化性能。
4、该结构可以阻挡少子空穴复合，提
技术实现思路
1、本专利技术目的在于针对上述问题，提供一种topcon太阳能电池的lpcvd工艺。
2、本专利技术提供的一种topcon太阳能电池的lpcvd工艺，步骤包括：
3、步骤一：选择n型硅片作为衬底材料，并利用清洗制绒技术，在其表面形成金字塔状绒面结构，以增加光吸收效率。
4、步骤二：对硅片的正面进行硼扩散，形成p-n结，实现光能向电能转化。
5、步骤三：采用bsg刻蚀技术对硅片进行刻蚀，并进行背面抛光，以减少背面的复合损失，提高开路电压。
6、步骤四：利用优化的lpcvd工艺，在硅片背面沉积一层高质量隧穿氧化层。通过精确控制lpcvd的工作温度350～1000℃和工作压力30pa～133pa，并优化前驱体气体的配比，实现薄膜的高效、均匀沉积。
7、步骤五：在隧穿氧化层上形成一层非晶硅和少量多晶硅的混合层，作为电池的背电极。
8、步骤六：对背面非晶硅和少量多晶硅的混合层进行磷扩散，进行掺杂后经过高温，使非晶向多晶转变与隧穿氧化层形成topcon结构，进一步提升电池性能。
9、在本专利技术的某些实施例中，上述方法涉及到的硅片尺寸可适应不同规格和要求的topcon电池生产，展示了工艺的灵活性和可扩展性。
10、本专利技术的有益效果
11、本专利技术涉及到的工艺下带来的薄膜质量的提升：通过精确控制lpcvd工艺参数和前驱体气体配比，获得了更高质量、更均匀的隧穿氧化层和非晶硅和少量多晶硅的混合层。
12、本专利技术涉及到的工艺下带来的制造成本的降低：优化后的工艺提高了生产效率，降低了能耗和原材料消耗，从而降低了topcon电池的制造成本。
13、本专利技术涉及到的工艺下带来的产品性能的稳定：通过优化工艺参数和实时温度反馈系统，确保了工艺的稳定性和可重复性，进而保证了topcon电池产品性能的稳定。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种TOPCon太阳能电池的LPCVD工艺，其特征在于步骤包括：
2.根据权利要求1所述一种TOPCon太阳能电池的LPCVD工艺，其特征在于：所述步骤三中，LPCVD的工作温度350～1000℃和工作压力30Pa～133Pa，并优化前驱体气体的配比。
3.根据权利要求1所述一种TOPCon太阳能电池的LPCVD工艺，其特征在于：所述掺杂为气相掺杂技术用于调整硅薄膜的导电类型和载流子浓度。
4.根据权利要求1-3所述一种TOPCon太阳能电池的LPCVD工艺，其特征在于：所述方法涉及到的硅片尺寸可适应不同规格和要求的TOPCon电池生产。
【技术特征摘要】
1.一种topcon太阳能电池的lpcvd工艺，其特征在于步骤包括：
2.根据权利要求1所述一种topcon太阳能电池的lpcvd工艺，其特征在于：所述步骤三中，lpcvd的工作温度350～1000℃和工作压力30pa～133pa，并优化前驱体气体的配比。
3.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐丹，张剑，
申请(专利权)人：宜宾英发德耀科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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